T1GA26xx-SM Low Noise Amplifiers

Qorvo TGA26xx-SM Low Noise Amplifiers are fabricated on a 0.25um GaN on SiC process (TQGaN25). Covering 2GHz to 6GHz, the TGA26xx-SM Amplifiers typically provides >22dB small signal gain and 30dBm of OTOI with 1.0dB NF. In addition to the high electrical performance, this GaN amplifier also provides a high level of input power robustness. Able to survive a high level of input power without performance degradation, Qorvo TGA26xx-SM provides flexibility regarding receive chain protection, resulting in reduced board space. This device is ideal for radar and satellite communication applications.

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 動作周波数 動作供給電圧 動作供給電流 ゲイン タイプ 取り付け様式 パッケージ/ケース 技術 P1dB - 圧縮ポイント 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Qorvo RF 増幅器 9-10GHz 20W GaN PAE>40% SSG >34dB
700予想2026/04/10
最低: 1
複数: 1
リール: 250

9 GHz to 10 GHz 20 V to 32 V 365 mA 34 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-22 GaN SiC - 40 C + 85 C TGA2624 Reel, Cut Tape
Qorvo RF 増幅器 9-10GHz 35W GaN PAE >42% SSG >30dB
N/A
最低: 1
複数: 1

9 GHz to 10 GHz 28 V 290 mA 32.7 dB Power Amplifiers SMD/SMT QFN-22 GaN SiC 40 dBm - 40 C + 85 C TGA2622 Waffle