NXH015F120M3F1PTG

onsemi
863-XH015F120M3F1PTG
NXH015F120M3F1PTG

メーカ：

詳細：
MOSFETモジュール 15M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE

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製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFETモジュール
RoHS:  
SiC
Press Fit
42.5 mm x 33.8 mm
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
77 A
19 mOhms
- 10 V, 22 V
4.4 V
- 40 C
+ 175 C
198 W
NXH015F120M3F1PTG
Tray
ブランド: onsemi
構成: Quad
下降時間: 7.5 ns
高さ: 12 mm
長さ: 42.5 mm
製品: MOSFET Modules
製品タイプ: MOSFET Modules
上昇時間: 8.6 ns
工場パックの数量: 28
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
タイプ: Full Bridge
標準電源切断遅延時間: 103 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 33.3 ns
Vf - 順電圧（Forward Voltage）: 4.67 V
幅: 33.8 mm
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選択した属性: 0

データシート

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
中国
拡散国:
韓国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NXH015F120M3F1PTGシリコンカーバイド（SiC）モジュール

onsemi NXH015F120M3F1PTG シリコンカーバイド (SiC) モジュールは、15mΩ/1200V M3S SiC MOSFETフルブリッジ・トポロジおよびサーミスタが特長で、Al2O3 DBC基板を採用しており、F1パッケージで提供されます。このパワーモジュールは、ゲート・ソース電圧+22V/-10V、連続ドレイン電流77A @ TC = 80°C (TJ = 175°C)、最大電力消費198W、沿面距離12.7mmに仕様が規定されています。.NXH015F120M3F1PTG SiC MOSFETには、事前に適用された熱インターフェイス素材（TIM）が備わっており、TIMが事前に適用されていません。SiCモジュールは、無鉛、ハライドフリー、RoHSに準拠しています。代表的なアプリケーションには、ソーラーインバータ、無停電電源装置、電気自動車充電ステーション、産業用電源があります。

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