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RD3S100AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3S100AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3S100AAFRATL
Price: 634 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-RD3S100AAFRATL

メーカ番号：

RD3S100AAFRATL

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 190V(Vdss), 10.0A(Id), (10V Drive)

データシート:

RD3S100AAFRATL データシート

ECADモデル:

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在庫: 2,509

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数量	ユニット価格	合計額
	¥634.5	¥635
	¥395.3	¥3,953
	¥294	¥29,400
	¥247.5	¥123,750
	¥229.2	¥229,200
完全リール（2500の倍数で注文）
	¥229.2	¥573,000

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-252-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	190 V
Id - 連続ドレイン電流:	10 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	182 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.5 V
Qg - ゲート電荷:	52 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	85 W
チャネルモード:	Enhancement
認証:	AEC-Q101
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	ROHM Semiconductor
構成:	Single
下降時間:	75 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	6 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	20 ns
シリーズ:	RD3
工場パックの数量:	2500
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	140 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns
別の部品番号:	RD3S100AAFRA
単位重量:	330 mg

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選択した属性: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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データシート

RD3S100AAFRATL データシート

Specification Sheets

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: タイ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

RD3x車載用NチャンネルパワーMOSFET

ローム株式会社（ROHM Semiconductor）RD3x車載用NチャンネルパワーMOSFETは、高性能スイッチングおよび整流器デバイスで、広範な電力および信号アプリケーションでの使用を目的に設計されています。AEC-Q101-規格のローム（ROHM)RD3xコンポーネントは、低順方向電圧、高速リカバリ時間、高サージ電流能力が特徴で、コンパクトな電子システムでの効率的な電力変換と保護に最適です。車載、産業、民生用電子機器向けにカスタマイズされたオプションがあるRD3ファミリは、DC-DCコンバータ、モータドライバ、LED照明、バッテリ駆動デバイスといったアプリケーションに対応しています。コンパクトな表面実装パッケージ（TO-252-3）と低リーク電流により省スペースおよび高効率設計が実現し、高い信頼性により過酷な条件下でも安定した性能が保証されます。

RD3S100AAFRA N-Ch 190V 10AパワーMOSFET

ROHM Semiconductor RD3S100AAFRA N-Ch 190V 10AパワーMOSFETは、低オン抵抗と高速スイッチング速度が特徴です。RD3S100AAFRA MOSFETは、並列使用のためのセットップを簡単に行うことができます。ROHM RD3S100AAFRAパワーMOSFETは、スイッチング電源アプリケーション用に設計されています。

シリコンパワーMOSFET

ROHM SemiconductorシリコンパワーMOSFETは、超高速スイッチング速度と低オン抵抗が特徴です。このMOSFETは、ミニチュア0604パッケージを含めて幅広い種類のパッケージでご用意があり、設計での省スペースを目的としています。

車載デバイス

ROHMの車載用デバイスは、長期間にわたって製品を安定供給しており、車載部門および次世代車両の進化に貢献しています。ROHMのデバイスの豊富な品揃えによって、増加したコンピュータ化と接続性への移行をサポートしています。ROHMは、顧客のニーズに合った最適なソリューションを提供しながら、安全性、快適性、エコロジーに焦点を当てています。

NチャンネルSiCパワーMOSFET

ROHM NチャンネルSiCパワーMOSFETにはスイッチング中のテール電流が存在せず、より高速な動作とスイッチング損失の低減をもたらします。さらに、低オン抵抗およびコンパクトなチップサイズによって、低容量とゲート電荷が保証されます。 SiCは最小オン抵抗を増大させ、標準シリコンデバイスに比べてパッケージの小型化と省電力化を実現しており、温度上昇に合わせてオン抵抗を2倍以上にできます。

AEC-Q101車載用MOSFET

ROHM AEC-Q101車載用MOSFETは、車載用サポート、広いドライブタイプ、小信号から高出力までのサポートを実現しています。これらのMOSFETは、広範な超小型パッケージでご用意があり、ボードスペースの削減に役立ちます。AEC-Q101 MOSFETは、車載サポート製品で、AEC-Q101規格に基づいています。これらのMOSFETには、高速スイッチングと低オン抵抗が備わっています。AEC-Q101 MOSFETは、単極および双極でご用意があり、-100V_DSS～100V_DSSのドレイン/ソース電圧範囲を提供します。これらのMOSFETには、-25A～40Aまでのドレイン電流、および0.004Ω～3Ω（標準）のR_DS(ON)範囲があります。AEC-Q101 MOSFETは、2nC〜80nCの範囲で全ゲートチャージを提供します。