Si8481DB 20V P-チャンネルTrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix Si8481DB 20V P-チャンネルTrenchFET^® Gen III MOSFETは、低オン抵抗および低0.6mm（最大）の高さを実現しています。Si8481DB MOSFETは、-55ºC～150ºCの動作温度で動作します。このパワーMOSFETは単構成MICRO FOOT^® パッケージでご用意しています。アプリケーションには、低電圧降下の負荷スイッチ、バッテリ駆動の電源管理、モバイル、ウェアラブルデバイスがあります。