SRAMメモリとデータストレージ製品

Renesas Electronics SRAMメモリとデータストレージ製品には、高度ローパワーSRAMテクノロジーを使用した高密度・高性能RAMが搭載されています。これらのSRAM製品は、-40°C ~ 85°Cの広い温度範囲および2.7V ~ 3.6V (3V部品)または4.5V ~ 5.5V (5V部品)電圧範囲で動作します。SRAMメモリとデータストレージ製品には、低電力スタンバイ電力損失も備わっており、メモリアプリケーション、バッテリ動作、バッテリバックアップ設計に適しています。

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル メモリ サイズ 編成 アクセス時間 インタフェース タイプ 供給電圧 - 最大 供給電圧 - 最小 供給電流 - 最大 最低動作温度 最高動作温度 取り付け様式 パッケージ/ケース パッケージ化
Renesas Electronics SRAM SRAM 1MB X8 3V SOP 55NS -40TO85C リードタイム 24 週間
最低: 1
複数: 1

Tray
Renesas Electronics SRAM 8Mb 3V Adv.SRAM x16 TSOP48, 45ns, WTR 非在庫リードタイム 24 週間
最低: 1
複数: 1

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 30 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray