IRF540N/Z 高度な HEXFET® パワー MOSFET

インターナショナル・レクティファイアーのIRF540N/Z Advanced HEXFET®パワーMOSFETは、シリコン部分の超低オン抵抗を実現する高度な処理技術を活用しています。このメリットが高速スイッチング、耐久性を高めたデバイス設計、175°Cの接合部動作温度（HEXFETパワーMOSFETではこの特性が有名です）と結びつくことで、設計者にとっては極めて効率的で信頼性の高いデバイスとなり、幅広い用途への応用が可能になります。
詳細

結果: 4
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
データシート
11,368在庫
26,400予想2026/05/13
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 33 A 44 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 47.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg
データシート
25,304在庫
16,000予想2026/07/16
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 26.5 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 175 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3
データシート
842在庫
1,000予想2026/05/04
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 8.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.7 V 55 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 36A 44mOhm 49.3nC LogLvl
データシート
912在庫
1,600予想2026/06/11
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 800

Si SMD/SMT TO-262-3 N-Channel 1 Channel 100 V 36 A 63 mOhms - 16 V, 16 V 2 V 49.3 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel