QPC1006

Name: Qorvo QPC1006
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPC1006
Price: 14640 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

772-QPC1006

メーカ番号：

QPC1006

メーカ：

Qorvo

詳細：

RF スイッチ IC 50W, 0.15-2.8GHz GaN SP3T

データシート:

QPC1006 データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Qorvo
製品カテゴリー:	RF スイッチ IC
RoHS:
スイッチ構成:	SP3T
最小周波数:	150 MHz
最高周波数:	2.8 GHz
挿入損失:	0.3 dB to 1 dB
オフ絶縁 - 標準:	30 dB
最高動作温度:	+ 275 C
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	QFN-24
技術:	GaN
シリーズ:	QPC1006
パッケージ化:	Reel
ブランド:	Qorvo
開発キット:	QPC1006EVB
高制御電圧:	- 50 V
水分感度:	Yes
スイッチ数:	Single
動作供給電流:	3 mA
Pd - 電力損失:	14 W
製品タイプ:	RF Switch ICs
工場パックの数量:	100
サブカテゴリ:	Wireless & RF Integrated Circuits

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 9030820000
ECCN:: 5A991.g

原産地分類

原産国:: アメリカ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

QPC1006単極・三投（SP3T）スイッチ

Qorvo QPC1006単極・三投（SP3T）スイッチは、QorvoのQGaN25 0.25um GaN on SiC生産プロセスで製造されています。QPC1006は0.15～2.8GHzで動作し、一般的にCWおよびパルスRF動作を目的とした0/−40Vの制御電圧での50W入力電力をサポートしています。このスイッチは、1.0dB未満の低挿入損失および30dB以上の絶縁を維持するため、防衛および商業プラットフォームを網羅する高出力スイッチング・アプリケーションに最適です。Qorvi QPC1006は、4mm x 4mmプラスチックオーバーモールドQFNパッケージで販売されています。

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.