EMC最適化NextPowerS3 MOSFET

Nexperia EMC-Optimized NextPowerS3MOSFET は、高効率で省スペースの LFPAK56パッケージに収められています。これらのMOSFETは、アバランシェ定格です。NextPowerS3 MOSFETは、175°Cの最大接合部温度に対応しています。これらのMOSFETは、EU RoHS準拠です。NextPowerS3 MOSFETは、+260°Cのピークはんだ付け温度および-55°C ~ +175°Cの保存温度範囲を備えています。代表的なアプリケーションには、DC/DCコンバータとブラシレスDCモータ制御があります。

結果: 8
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 120A 1,922在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 42 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 200A 1,346在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 79 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 200A 1,945在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 200 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 56 nC - 55 C + 175 C 194 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 180A 2,085在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 28 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 180A 1,922在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT Power-SO8 N-Channel 1 Channel 40 V 180 A 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 49 nC - 55 C + 175 C 166 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 160A 1,890在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.05 V 56 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 160A 1,935在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 42 nC - 55 C + 175 C 147 W Enhancement
Nexperia MOSFET SOT669 N-CH 40V 120A 1,385在庫
最低: 1
複数: 1

Si SMD/SMT Power-SO8-4 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 30 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement