NTMFD0D9N02P1E

onsemi
863-NTMFD0D9N02P1E
NTMFD0D9N02P1E

メーカ：

詳細：
MOSFET IFET 25V 0.9 MOHM PQFN56MP

ライフサイクル:
製造中止:
メーカーにてモデル廃止予定のため、製造中止となります。
データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥671 ¥671
¥441.8 ¥4,418
¥310.6 ¥31,060
¥282.4 ¥141,200
¥280.7 ¥280,700
完全リール（3000の倍数で注文）
¥269.1 ¥807,300
¥260.8 ¥1,564,800

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PDFN-8
N-Channel
2 Channel
25 V, 30 V
77 A, 180 A
720 uOhms, 3 mOhms
- 12 V, 16 V
2 V
19 nC, 67 nC
- 55 C
+ 150 C
29.2 W, 37.4 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
ブランド: onsemi
構成: Dual
下降時間: 3 ns, 10 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 147 S, 311 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 2 ns, 4 ns
シリーズ: NTMFD0D9N02P1E
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 2 N-Channel
標準電源切断遅延時間: 25 ns, 70 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 8 ns, 15 ns
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選択した属性: 0

データシート

EOL

PCN

コンプライアンスコード
USHTS:
8541290095
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
フィリピン
組立原産国:
フィリピン
拡散国:
台湾
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NTMFD0D9N02P1E MOSFET

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFETは、高速スイッチングアプリケーション向けの低Rg設計を備えたデュアル NチャンネルMOSFETです。このMOSFETは、非対称なPOWERTRENCH®パワークリップを採用しています。NTMFD0D9N02P1E MOSFETは、伝導損失を低減する低オン抵抗（RDS（on））と、ドライバ損失を低減する低ゲート電荷（QG）および低容量特性を備えています。小型のフットプリント 5mm x 6mmコンパクト設計でご用意があMOSFETります。NTMFD0D9N02P1EMOSFETは鉛およびハロゲン/BFRフリーで、RoHSに準拠しています。イスラム代表的なアプリケーション教徒には、DCイスラムDC コンバータ教徒、システムの電圧レール、汎用ポイントオブロードのイスラム教徒が含まれます。

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