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SISH892BDN-T1-GE3

Name: Vishay SISH892BDN-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SISH892BDN-T1-GE3
Price: 242 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SISH892BDN-T1-GE3

メーカ番号：

SISH892BDN-T1-GE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET PWRPK 100V 20A N-CH MOSFET

データシート:

SISH892BDN-T1-GE3 データシート

ECADモデル:

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Vishay / Siliconix SISH892BDN-T1-GE3の詳細を読む

在庫: 33,813

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完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥242.5	¥243
	¥152.6	¥1,526
	¥101.2	¥10,120
	¥79.1	¥39,550
	¥71.9	¥71,900
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥62.6	¥187,800
	¥60.6	¥545,400
	¥59.6	¥1,430,400

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PowerPAK-1212-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	20 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	30.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.4 V
Qg - ゲート電荷:	17.4 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	29 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	TrenchFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	Vishay / Siliconix
構成:	Single
下降時間:	4 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	33 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	5 ns
シリーズ:	SISH
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	TrenchFET Gen IV Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	19 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	9 ns

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選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

TrenchFET Gen IV MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETは、PowerPAK® SO-8および1212-8Sパッケージで業界最低のオン抵抗と低総ゲート電荷を実現しています。このTrenchFET Gen IV MOSFETは、RDS(on)が極めて低く、電力損失を低減して消費電力を削減します。TrenchFET MOSFETは、同等の効率性を備え、サイズが3分の1の省スペースPowerPAK® 1212-8パッケージもご利用いただけます。代表的な用途には、ハイパワーDC/DCコンバータ、同期整流、ソーラーマイクロインバータ、モータドライブスイッチなどがあります。

SISH892BDN Nチャンネル100V MOSFET

Vishay / Siliconix SISH892BDNチャンネル100V MOSFETは、TrenchFET^® Gen IVパワーMOSFETで、R_gおよびUIS試験が100%完了しています。SISH892BDN MOSFETは、100V V_DS、20A I_D、8nC Q_gになっています。Vishay / Siliconix SISH892BDN MOSFETは、PowerPAK® 1212-8SHパッケージでご用意があり、動作接合部および保管温度範囲は-55°C～+150°Cです。