SIA469DJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIA469DJ-T1-GE3
SIA469DJ-T1-GE3

メーカ：

詳細：
MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 102,985

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工場リードタイム：
28 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥94.4 ¥94
¥58.4 ¥584
¥37.4 ¥3,740
¥28.2 ¥14,100
¥25 ¥25,000
完全リール（3000の倍数で注文）
¥21.4 ¥64,200
¥19.5 ¥117,000
¥16.8 ¥151,200
¥16.3 ¥391,200
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Vishay
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
1 Channel
30 V
12 A
21 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
32 nC
- 55 C
+ 150 C
15.6 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Vishay Semiconductors
構成: Single
下降時間: 15 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 15 S
製品タイプ: MOSFETs
上昇時間: 17 ns
シリーズ: SIA
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: Transistors
トランジスタ タイプ: 1 P-Channel
標準電源切断遅延時間: 30 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 7 ns
単位重量: 45.597 mg
製品が見つかりました:
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選択した属性: 0

JPHTS:
8541290100
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

SiA469DJ 30V P-チャンネルTrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix SiA469DJ 30V P-チャンネルTrenchFET® Gen III MOSFETは、低オン抵抗を実現しています。このSiA469DJ MOSFETは、-55ºC～150ºCの動作温度で動作します。このパワーMOSFETは単構成PowerPAK ® SC-70パッケージサイズでご用意しています。SiA469DJ MOSFETはRoHS準拠で、ハロゲンフリーのデバイスのです。アプリケーションには、負荷スイッチ、DC/DCコンバータ、高速スイッチング、バッテリ駆動の電源管理、モバイル、ウェアラブルデバイスがあります。

産業用電源ソリューション

Vishayは、産業用電源アプリケーションを対象とした半導体および受動部品の、業界で最も広い選択肢を提供しています。Vishayの産業用電源の製品ポートフォリオには、パワーMOSFET、パワーIC、整流器、ダイオード、コンデンサ、レジスタ、インダクタがあります。

TrenchFET Gen III Pチャンネル・パワーMOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III PチャンネルパワーMOSFETには、低オン抵抗および低電圧降下が備わっており、効率性とバッテリ時間を向上させています。これらのパワーMOSFETは、各種パッケージサイズでご用意があります。このPチャンネルMOSFETには、広範なアプリケーションに対応しているオン抵抗定格が備わっています。アプリケーションには、負荷スイッチ、アダプタスイッチ、バッテリスイッチ、DCモータ、充電器スイッチがあります。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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