NTPF360N80S3Z

onsemi
863-NTPF360N80S3Z
NTPF360N80S3Z

メーカ：

詳細：
MOSFET SF3 800V 360MOHM TO-220F

データシート:
ECADモデル:
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onsemi
製品カテゴリー: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
N-Channel
1 Channel
800 V
13 A
360 mOhms
- 20 V, 20 V
3.8 V
25.3 nC
- 55 C
+ 150 C
31 W
Enhancement
Tube
ブランド: onsemi
製品タイプ: MOSFETs
シリーズ: NTPF360N80S3Z
工場パックの数量: 50
サブカテゴリ: Transistors
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データシート

PCN

コンプライアンスコード
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
中国
拡散国:
韓国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET® III MOSFETは、高電圧（TJ= 150ºCで700V）スーパージャンクション（SJ）MOSFETで、充電バランス技術を用いています。この技術によって、非常に低いオン抵抗（標準59mΩまたは62mΩ RDS(on)）およびより低いゲート充電性能（標準78nC Qg）が実現しています。SuperFET III MOSFETは、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、ドレイン-ソース電圧の極端な上昇率に耐えるように設計されています。dv/dt Fairchild SuperFET IIIは、小型化と高効率化を目的としたさまざまな電源システムに最適です。

NTPF360N80S3Z NチャンネルSUPERFET® III MOSFET

Onsemi NTPF360N80S3Z NチャンネルSUPERFET® IIIは、800Vの破壊電圧を備えた、高性能パワーMOSFETです。このSUPERFETは、フライバック・コンバータの一次スイッチに最適化されており、EMI性能を犠牲にすることなく、スイッチング損失とケース温度を低減します。Onsemi NTPF360N80S3Z SUPERFETには、静電放電 (ESD) 機能を大幅に向上させる内部Zenerダイオードが装備されています。代表的なアプリケーションには、アダプタ/充電器、LED照明、AUX電力、オーディオ、工業電源があります。

在庫: 734

在庫：
734 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
50 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
この製品はリードタイムが長いと報告されています。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥782.3 ¥782
¥405.3 ¥4,053
¥367.1 ¥36,710
¥337.2 ¥168,600

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