HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 720
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
パッケージ化

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/25A
データシート
非在庫リードタイム 44 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 25 A 154 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 38A
データシート
非在庫リードタイム 39 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DIODE Id26 BVdass800
データシート
非在庫リードタイム 46 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 25 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 200 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 48A
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A
データシート
非在庫リードタイム 46 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 32 A 154 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 500 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 3.5 Amps 1000V 3 Rds
データシート
非在庫リードタイム 37 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 3.5 A 3 Ohms - 20 V, 20 V - 40 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET HiPerFET Power MOSFET
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 64A
データシート
非在庫リードタイム 35 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 35 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/45A
データシート
非在庫リードタイム 37 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 45 A 94 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DIODE Id36 BVdass600
データシート
非在庫リードタイム 37 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 200 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
データシート
非在庫リードタイム 46 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 104 mOhms - 30 V, 30 V 190 nC 568 W HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 44 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 600 V 48 A 76 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 190 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-268AA
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 140 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 127 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 14 Amps 800V 0.72 Rds
データシート
非在庫リードタイム 46 週間
最低： 300
複数： 30
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 800 V 14 A 720 mOhms 400 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChTrenchGate-Gen2 TO-268AA
データシート
非在庫リードタイム 25 週間
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 175 V 150 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 233 nC - 55 C + 175 C 880 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 25 週間
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 200 V 150 A 15 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-268AA
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 150 A 9 mOhms - 10 V, 10 V 2.5 V 154 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET Discretes
データシート
非在庫リードタイム 37 週間
最低： 400
複数： 400
リール: 400

Si SMD/SMT TO-268-3 1 Channel 1 kV 15 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 3.5 V 64 nC 690 W Enhancement HiPerFET Reel
IXYS MOSFET 16 Amps 800V 0.6 Rds
データシート
非在庫リードタイム 46 週間
最低： 300
複数： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 800 V 16 A 600 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-268AA
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 200 V 180 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 154 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/18A
データシート
非在庫リードタイム 46 週間
最低： 300
複数： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 18 A 660 mOhms - 30 V, 30 V 90 nC + 150 C 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
データシート
在庫なし
最低： 30
複数： 30
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 900 V 18 A 600 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 540 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 20 Amps 1000V 1 Rds
データシート
非在庫リードタイム 37 週間
最低： 300
複数： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 20 A 570 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 126 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1
Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 800 V 20 A 520 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 86 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 24 Amps 800V 0.4 Rds
データシート
非在庫リードタイム 46 週間
最低： 300
複数： 30
Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 800 V 24 A 400 mOhms - 30 V, 30 V 100 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube