HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 720
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
パッケージ化
IXYS MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET
データシート
88在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 250 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 205 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A
データシート
186在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 195 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
データシート
169在庫
125予想2026/06/10
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 360 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 525 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
データシート
394在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 100 V 420 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 670 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 44A
データシート
483在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 650 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 44 Amps 800V
データシート
118在庫
200予想2026/06/16
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 800 V 44 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 198 nC - 55 C + 150 C 1.2 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
データシート
371在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 64A
データシート
413在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
データシート
284在庫
475予想2026/03/16
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 145 nC - 55 C + 150 C 1.13 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds
データシート
185在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 88 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.50 Rds
データシート
479在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO220 300V 72A N-CH X3CLASS
データシート
419在庫
1,450予想2026/05/01
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 300 V 72 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
データシート
1,133在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-3P-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A
データシート
169在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 50 A 72 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 200 nC - 55 C + 150 C 570 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 300V 100A N-CH X3CLASS
データシート
151在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 100 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 250V 120A N-CH X3CLASS
データシート
932在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 300V 150A N-CH X3CLASS
データシート
188在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 300 V 150 A 8.3 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 177 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 340A
データシート
528在庫
510予想2026/07/22
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 75 V 340 A 3.2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 175 C 935 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/80A TO-268HV
データシート
331在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/100A Ultra Junction X2
データシート
120在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 100 A 30 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 180 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
データシート
154在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 160A 300V
データシート
128在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 160 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 335 nC - 55 C + 150 C 1.39 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 230A 200V
データシート
370在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 230 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 358 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
データシート
180在庫
120予想2026/04/10
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 24 A 440 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
データシート
409在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 360 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 715 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube