HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 720
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
パッケージ化

IXYS MOSFET 44 Amps 800V
データシート
226在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 800 V 44 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 198 nC - 55 C + 150 C 1.04 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
データシート
597在庫
700予想2026/08/17
最低： 1
複数： 1
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 110 Amps 250V
データシート
662在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 157 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
データシート
1,298在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 5.5 mOhms - 55 C + 175 C 550 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 650V 48A N-CH X2CLASS
データシート
356在庫
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 76 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 40V 500A
データシート
217在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 40 V 500 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 405 nC - 55 C + 175 C 1 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET Id180 BVdass100
データシート
434在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 151 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 10A
データシート
179在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 740 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 110Amps 150V
データシート
2在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 150 V 110 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 500V 12A
データシート
300在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 12 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 5.5 V 29 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 600V 14A
データシート
306在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
データシート
32在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
データシート
41在庫
250予想2026/09/23
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 200V 36A N-CH X3CLASS
データシート
86在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 36 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 170 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
データシート
222在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 60 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A
データシート
83在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 6 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 92 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 7 Amps 1000V
データシート
181在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 6 V 47 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
データシート
171在庫
最低： 1
複数： 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 250 V 80 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds
データシート
12在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 350 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 310 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 100A N-CH X3CLASS
データシート
89在庫
300予想2026/04/03
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 100 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 122 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 10 Amps 800V 1.1 Rds
データシート
290在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 1.1 Ohms - 30 V, 30 V 5.5 V 40 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds
データシート
140在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 152 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 12 Amps 1200V 1.15 Rds
データシート
50在庫
1,350予想2026/07/13
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 1.35 Ohms - 30 V, 30 V 6.5 V 103 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
データシート
145在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 12 A 900 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 380 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 170 Amps 150V 0.013 Rds
データシート
38在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 190 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube