GP3T080A120H

SemiQ
148-GP3T080A120H
GP3T080A120H

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET Gen3 1200V, 80mohm SiC MOSFET, TO-247-4L

ライフサイクル:
新製品:
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データシート:
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3
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,000.8 ¥1,001
¥668.3 ¥6,683
¥520 ¥62,400
¥410.8 ¥209,508

製品属性 属性値 属性の選択
SemiQ
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4L
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
70 A
100 mOhms
- 4.5 V, + 18 V
4 V
53 nC
- 55 C
+ 175 C
147 W
Enhancement
ブランド: SemiQ
構成: Single
下降時間: 9 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 6 S
パッケージ化: Tube
製品: MOSFETs
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 4 ns
シリーズ: GP3T
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
タイプ: SiC MOSFET
標準電源切断遅延時間: 19 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 13 ns
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選択した属性: 0

データシート

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
フィリピン
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

GEN3 1,200V SiC MOSFET ディスクリートデバイス

SEMiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Discrete Devices are third-generation SiC MOSFETs and are 20% smaller than SEMiQ’s second-generation SiC MOSFETs. These devices have been developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

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