1ED21271S65FXUMA1

Infineon Technologies
726-1ED21271S65FXUMA
1ED21271S65FXUMA1

メーカ:

詳細:
ゲートドライバ 650V high-side gate driver

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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
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EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥372.8 ¥373
¥240 ¥2,400
¥214.4 ¥5,360
¥177.6 ¥17,760
¥166.4 ¥41,600
¥145.3 ¥72,650
¥126.4 ¥126,400
完全リール(2500の倍数で注文)
¥114.9 ¥287,250
¥109.4 ¥820,500

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Gate Drivers
High-Side
SMD/SMT
PG-DSO-8
1 Driver
1 Output
4 A
25 V
Inverting
12 ns
12 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
ブランド: Infineon Technologies
最長電源切断遅延時間: 80 ns
最長電源投入遅延時間: 80 ns
水分感度: Yes
動作供給電流: 270 uA
出力電圧: 460 mV
Pd - 電力損失: 625 mW
製品タイプ: Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大: 410 ns
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 50 Ohms
シャットダウン: Shutdown
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
トレードネーム: EiceDRIVER
別の部品番号: 1ED21271S65F SP005826767
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選択した属性: 0

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USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650Vハイサイドゲートドライバ

Infineon Technologies  EiceDRIVER™ 1ED21x7x650Vハイサイドゲートドライバは、高電圧パワートランジスタを対象に堅牢で効率的な制御を実現するよう設計されています。これらのInfineonゲートドライバは、ハイサイドドライバアーキテクチャが特徴で、モータドライブ、ソーラーインバータ、産業用電源をはじめとする広範囲なアプリケーションに対応しています。1ED21x7xシリーズには、650Vの最大電圧定格が備わっており、要求の厳しい環境での信頼性の高い動作が保証されます。主な機能には、統合ブートストラップダイオード、高速スイッチング機能、不足電圧ロックアウト(UVLO)および過電流保護などの包括的な保護メカニズムがあります。これらの属性によってEiceDRIVER™ 1ED21x7xシリーズは、高電圧パワーシステムの性能と信頼性の向上に最適な選択です。

EiceDRIVER™ゲートドライバIC

Infineon EiceDRIVER™ ゲートドライバICは、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTデバイスに適するように設計されています。EiceDRIVER™ ゲートドライバは、0.1A~最大10Aの間で標準出力電流をさまざまに選択できます。これらのデバイスは、高速短絡保護(DESAT)、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの堅牢なゲートドライブ保護機能を搭載しています。これらの特徴により、これらのドライバICは、CoolGaN™ やCoolSiC™ を含むシリコンおよび広帯域ギャップ電力デバイスに適しています。Infineonは、どんな電力スイッチやアプリケーションにも適した500以上のEiceDRIVER™ ゲートドライバICソリューションを提供しています。