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1EDI3040ASXUMA1

Name: Infineon 1EDI3040ASXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1EDI3040ASXUMA1
Price: 973 JPY
Availability: OutOfStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

726-1EDI3040ASXUMA1

メーカ番号：

1EDI3040ASXUMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

ゲートドライバ Automotive qualified 1ch reinforced isolated gate driver made for leading edge IGBT & SiC traction inverters

ライフサイクル:

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データシート:

1EDI3040ASXUMA1 データシート (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	Gate Driver
タイプ:	Single
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	LFDSO-36
ドライバ数:	1 Driver
出力数:	1 Output
出力電流:	20 A
構成:	Inverting, Non-Inverting
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Infineon Technologies
水分感度:	Yes
製品タイプ:	Gate Drivers
工場パックの数量:	2000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	SiC
トレードネーム:	EiceDRIVER
別の部品番号:	1EDI3040AS SP005910755

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データシート

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Models

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コンプライアンスコード

USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: ドイツ
組立原産国:: インドネシア
拡散国:: ドイツ

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

EiceDRIVER™ゲートドライバIC

Infineon EiceDRIVER™ ゲートドライバICは、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTデバイスに適するように設計されています。EiceDRIVER™ ゲートドライバは、0.1A～最大10Aの間で標準出力電流をさまざまに選択できます。これらのデバイスは、高速短絡保護（DESAT）、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの堅牢なゲートドライブ保護機能を搭載しています。これらの特徴により、これらのドライバICは、CoolGaN™ やCoolSiC™ を含むシリコンおよび広帯域ギャップ電力デバイスに適しています。Infineonは、どんな電力スイッチやアプリケーションにも適した500以上のEiceDRIVER™ ゲートドライバICソリューションを提供しています。

EiceDRIVER™ 高電圧ゲートドライバIC

インフィニオン (Infineon) はEiceDRIVER™高電圧ゲートドライバICは、電気自動車（EV）用途向けに設計されており、車載認定取得済みのIGBTドライバICおよびSiC MOSFETドライバICをラインアップしています。インフィニオン (Infineon) EiceDRIVER™高電圧ゲートドライバICは、高い周囲温度環境に対応し、ガルバニック絶縁と双方向信号伝送を実現します。このICは極めて短い伝搬遅延を可能にし、1、200VまでのIGBTおよびSiC技術をサポートします。このデバイスには、強化されたスイッチング動作（拡張型CMTI能力、高速伝搬遅延、スイッチング周波数）、幅広い出力側供給範囲、短い内部デッドタイム、DESAT/OCP閾値レベル適応など、SiC MOSFETを駆動するための主要な機能/パラメータが組み込まれています。高度な監視および保護機能により、ISO26262機能安全要件の実装を容易にし、過酷なEMC環境でも安定した動作を実現します。