FF8MR12W1M1HB11BPSA1

Infineon Technologies
726-FF8MR12W1M1HB11B
FF8MR12W1M1HB11BPSA1

メーカ：

詳細：
ディスクリート半導体モジュール CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V

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ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: ディスクリート半導体モジュール
RoHS:  
Half Bridge
Si
Tray
ブランド: Infineon Technologies
製品タイプ: Discrete Semiconductor Modules
工場パックの数量: 24
サブカテゴリ: Discrete and Power Modules
トレードネーム: EasyDUAL
別の部品番号: FF8MR12W1M1H_B11 SP005634498
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データシート

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コンプライアンスコード
JPHTS:
854121000
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541210095
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8541210100
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
オーストリア
組立原産国:
ドイツ
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

信頼性を向上させるエネルギー効率の高いデータセンター用電源

Infineon Technologies データセンター用高信頼・高効率電源は、約5kW〜50/60kWまでの定格電力を備えたスケーラブルなソリューションです。このInfineonのソリューションは、高い電力密度とエネルギー効率を必要とする無停電電源（UPS）に最適です。これらのモジュールは、Si IGBT、CoolSiC™ ハイブリッド、CoolSiC MOSFETなど多様なチップ技術を活用しており、コスト効率とパフォーマンスに関するさまざまな要件を満たすことができます。Infineonのポートフォリオは、電圧クラスが異なるUPSのすべてのシステムレベルに対処できるだけでなく、提供範囲を拡大してより低い電力定格クラスを含める予定です。

EasyDUAL™1BIGBT モジュール

インフィニオン・テクノロジー EasyDUAL™ 1B IGBTモジュールには、CoolSiC™ MOSFETが搭載されており、非常に低い浮遊インダクタンスと際立った効率性が備わっており、さらなる高周波数、電力密度の向上、冷却要件の削減を実現できます。1200V、8mΩ ハーフブリッジモジュールは、統合NTC温度センサとPressFITコンタクト技術が特徴です。サーマルインターフェイス素材は、xHP_B11型でご用意があります。このデバイスは、0～5Vおよび+15V～+18V推奨ゲート駆動電圧範囲、+23Vまたは-10Vの最大ゲート-ソース電圧、17mΩ または33mΩ ドレイン-ソース間抵抗オプションを備えています。統合取付クランプによって、堅牢な取付保証を実現しています。

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