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FF8MR12W1M1HB11BPSA1

Name: Infineon FF8MR12W1M1HB11BPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF8MR12W1M1HB11B
Price: 17985 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

726-FF8MR12W1M1HB11B

メーカ番号：

FF8MR12W1M1HB11BPSA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

ディスクリート半導体モジュール CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V

データシート:

FF8MR12W1M1HB11BPSA1 データシート (PDF)

ECADモデル:

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	¥15,108.8	¥151,088
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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	ディスクリート半導体モジュール
RoHS:
タイプ:	Half Bridge
技術:	Si
パッケージ化:	Tray
ブランド:	Infineon Technologies
製品タイプ:	Discrete Semiconductor Modules
工場パックの数量:	24
サブカテゴリ:	Discrete and Power Modules
トレードネーム:	EasyDUAL
別の部品番号:	FF8MR12W1M1H_B11 SP005634498

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選択した属性: 0

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データシート

FF8MR12W1M1HB11BPSA1 データシート (PDF)

JPHTS:: 854121000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

信頼性を向上させるエネルギー効率の高いデータセンター用電源

Infineon Technologies データセンター用高信頼・高効率電源は、約5kW〜50/60kWまでの定格電力を備えたスケーラブルなソリューションです。このInfineonのソリューションは、高い電力密度とエネルギー効率を必要とする無停電電源（UPS）に最適です。これらのモジュールは、Si IGBT、CoolSiC™ ハイブリッド、CoolSiC MOSFETなど多様なチップ技術を活用しており、コスト効率とパフォーマンスに関するさまざまな要件を満たすことができます。Infineonのポートフォリオは、電圧クラスが異なるUPSのすべてのシステムレベルに対処できるだけでなく、提供範囲を拡大してより低い電力定格クラスを含める予定です。

EasyDUAL™1BIGBT モジュール

インフィニオン・テクノロジー EasyDUAL™ 1B IGBTモジュールには、CoolSiC™ MOSFETが搭載されており、非常に低い浮遊インダクタンスと際立った効率性が備わっており、さらなる高周波数、電力密度の向上、冷却要件の削減を実現できます。1200V、8mΩ ハーフブリッジモジュールは、統合NTC温度センサとPressFITコンタクト技術が特徴です。サーマルインターフェイス素材は、xHP_B11型でご用意があります。このデバイスは、0～5Vおよび+15V～+18V推奨ゲート駆動電圧範囲、+23Vまたは-10Vの最大ゲート-ソース電圧、17mΩ または33mΩ ドレイン-ソース間抵抗オプションを備えています。統合取付クランプによって、堅牢な取付保証を実現しています。