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IGC033S10S1XTMA1

Name: Infineon IGC033S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGC033S10S1XTMA1
Price: 741 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
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Mouser 番号：

726-IGC033S10S1XTMA1

メーカ番号：

IGC033S10S1XTMA1

メーカ：

Infineon Technologies

詳細：

GaN FET MV GAN DISCRETES

ライフサイクル:

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データシート:

IGC033S10S1XTMA1 データシート (PDF)

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数量	ユニット価格	合計額
	¥741.7	¥742
	¥474.3	¥4,743
	¥348.8	¥34,880
	¥298.3	¥149,150
	¥288.5	¥721,250
完全リール（5000の倍数で注文）
	¥242.9	¥1,214,500

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Infineon
製品カテゴリー:	GaN FET
RoHS:
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	PG-TSON-6
トランジスタ極性:	HEMT
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	100 V
Id - 連続ドレイン電流:	76 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	3.3 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 4 V, + 5.5 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.9 V
Qg - ゲート電荷:	11 nC
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 150 C
Pd - 電力損失:	45 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	CoolGaN
ブランド:	Infineon Technologies
構成:	Single
組立国:	MY
拡散国:	AT
原産国:	AT
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品:	Tranistors
製品タイプ:	GaN FETs
シリーズ:	100V G3
工場パックの数量:	5000
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	GaN
トランジスタタイプ:	1 P-Channel
タイプ:	CoolGaN Transistor
別の部品番号:	IGC033S10S1 SP005751571

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データシート

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JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 100V G3トランジスタ

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CoolGaN™ G3トランジスタ

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