BM2P10B1J-Z

Name: ROHM Semiconductor BM2P10B1J-Z
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BM2P10B1J-Z
Price: 406 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

755-BM2P10B1J-Z

メーカ番号：

BM2P10B1J-Z

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

AC/DCコンバータ PMIC, DC/DC, PWM Type

データシート:

BM2P10B1J-Z データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	AC/DCコンバータ
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	DIP-7
出力電力:	35 W
供給電圧 - 最小:	8.9 V
供給電圧 - 最大:	26 V
トポロジー:	Flyback
技術:	Si
スイッチング周波数:	100 kHz
負荷サイクル - 最大:	90 %
動作供給電流:	900 uA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 105 C
パッケージ化:	Tube
ブランド:	ROHM Semiconductor
開発キット:	BM2P10B1J-EVK-001
絶縁:	Isolated
出力数:	1 Output
製品:	AC/DC Converters
製品タイプ:	AC/DC Converters
工場パックの数量:	2000
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
タイプ:	PWM Type DC/DC Converter IC
別の部品番号:	BM2P10B1J

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データシート

BM2P10B1J-Z データシート (PDF)

Specification Sheets

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コンプライアンスコード

CAHTS:: 8542310000
USHTS:: 8542310030
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NチャンネルSiCパワーMOSFET

ROHM NチャンネルSiCパワーMOSFETにはスイッチング中のテール電流が存在せず、より高速な動作とスイッチング損失の低減をもたらします。さらに、低オン抵抗およびコンパクトなチップサイズによって、低容量とゲート電荷が保証されます。 SiCは最小オン抵抗を増大させ、標準シリコンデバイスに比べてパッケージの小型化と省電力化を実現しており、温度上昇に合わせてオン抵抗を2倍以上にできます。

BM2P10xJ-Z PWM-タイプDC DCコンバータIC

ローム株式会社 (ROHM Semiconductor) BM2P10xJ-Z PWM-TypeDC/DCコンバータICは、高電圧公差とコンパクトな設計を必要とする環境での絶縁型AC/DC電源アプリケーション用に最適化されています。統合された 730VスイッチングMOSFETを特徴とするICは、高電圧 AC 主電源から直接動作することができ、家電製品、産業用制御システム、汎用補助電源での使用に最適です。ローム株式会社 (ROHM Semiconductor) BM2P10xJ-Zシリーズ周波数ホッピングPWM制御で効率的な電力変換をサポートし、EMIを削減します。また、過電流、過電圧、過負荷、サーマルシャットダウンなどの重要な保護機能を搭載しています。内蔵スタートアップ回路図、ソフトスタート機能性、低スタンバイ消費電力により、BM2P10xJ-Zシリーズは、スペースに制約のあるアプリケーションにおいて、簡素化された、信頼性が高く、エネルギー効率の高い電源設計を実現します。