NVH4L018N075SC1

onsemi
863-NVH4L018N075SC1
NVH4L018N075SC1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 750V

データシート:
ECADモデル:
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onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
TO-247-4
EliteSiC
ブランド: onsemi
パッケージ化: Tube
製品タイプ: SiC MOSFETS
シリーズ: NVH4L018N075SC1
工場パックの数量: 30
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
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データシート

PCN

コンプライアンスコード
USHTS:
8541290095
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
韓国
組立原産国:
中国
拡散国:
韓国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

EliteSiC MOSFETとのペアリングゲートドライバ

EV充電、エネルギー・ストレージ、無停電電力システム(UPS) 、太陽光発電のようなエネルギー・インフラのアプリケーションは、数百キロワット、メガワットまでシステム電力レベルを押し上げています。これらのハイパワー・アプリケーションは、ハーフブリッジ、フルブリッジ、そしてインバータとBLDCに対して最大6つのスイッチまでの3相トポロジ負荷サイクルを採用しています。システム設計者は電力レベルとスイッチング速度に応じて、アプリケーション要件に最適なシリコン、IGBT、SiCなどのさまざまなスイッチ技術を検討します。

M2 EliteSiC MOSFET

onsemi M2 EliteSiC MOSFETは、650V、750V、1200Vから電圧を選択できます。onsemi M2 MOSFETには、D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LDなど、さまざまなパッケージがあります。MOSFETを採用すると、設計と実装に柔軟性が得られます。加えて、M2 EliteSiC MOSFETは、+22V/-8Vの最大ゲート-ソース間電圧、低RDS（on）、高い短絡耐量（SCWT）が特長です。

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