LSIC1MO SiC MOSFET の検索結果

画像	部品番号	メーカ	説明	データシート	在庫状況	価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする	数量	取り付け様式	パッケージ/ケース	チャンネル数	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Id - 連続ドレイン電流	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Vgs - ゲート-ソース間電圧	Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧	Qg - ゲート電荷	最低動作温度	最高動作温度	Pd - 電力損失	チャネルモード
SiC MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC LSIC1MO170E0750 IXYS 1: ¥1,533.1 1,753在庫	メーカ部品番号 LSIC1MO170E0750 Mouser 部品番号 576-LSIC1MO170E0750	IXYS	SiC MOSFET TO247 1.7KV 4.4A N-CH SIC IXYS littelfuse lsic1mo170e0750 についての詳細を表示	データシート	1,753在庫	¥1,533.1 ¥948.4 ¥946.8 ¥903.6	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.7 kV	6.2 A	1 Ohms	- 5 V, + 20 V	4 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	60 W	Enhancement
SiC MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet LSIC1MO120E0160 IXYS 1: ¥2,074.6 445在庫	メーカ部品番号 LSIC1MO120E0160 Mouser 部品番号 576-LSIC1MO120E0160	IXYS	SiC MOSFET 1200 V 160 mOhm SiC Mosfet IXYS littelfuse sic mosfets についての詳細を表示	データシート	445在庫	¥2,074.6 ¥1,950 ¥1,707.5 ¥1,705.8 ¥1,690.9	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	22 A	200 mOhms	- 5 V, + 20 V	1.8 V	57 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement
SiC MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET LSIC1MO120E0080 IXYS 1: ¥4,155.8 4在庫	メーカ部品番号 LSIC1MO120E0080 Mouser 部品番号 576-LSICMO120E0080	IXYS	SiC MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET IXYS littelfuse sic mosfets についての詳細を表示	データシート	4在庫	¥4,155.8 ¥3,328.6 ¥2,878.5 見積り見積り	最低： 1 複数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	39 A	80 mOhms	- 5 V, + 20 V	2.8 V	95 nC	- 55 C	+ 150 C	179 W	Enhancement
SiC MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet LSIC1MO120E0120 IXYS 非在庫リードタイム 29 週間工場特別発注	メーカ部品番号 LSIC1MO120E0120 Mouser 部品番号 576-LSIC1MO120E0120 工場特別発注	IXYS	SiC MOSFET 1200 V 120 mOhm SiC Mosfet	データシート	非在庫リードタイム 29 週間		見積依頼	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	27 A	150 mOhms	- 5 V, + 20 V	1.8 V	80 nC	- 55 C	+ 150 C	139 W	Enhancement
SiC MOSFET 1700V/750mohm SiC MOSFET TO-263-7L LSIC1MO170T0750 IXYS 1: ¥1,805.5 53在庫	メーカ部品番号 LSIC1MO170T0750 Mouser 部品番号 576-LSIC1MO170T0750	IXYS	SiC MOSFET 1700V/750mohm SiC MOSFET TO-263-7L IXYS littelfuse commercial tactical uav systems についての詳細を表示	データシート	53在庫	¥1,805.5 ¥1,051.4 ¥1,049.8 ¥1,043.1 ¥975	最低： 1 複数： 1	SMD/SMT	D2PAK-7 (TO-263-7)	1 Channel	1.7 kV	6.4 A	750 mOhms	- 20 V, + 20 V	1.8 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement
SiC MOSFET 1200 V, 120 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L) LSIC1MO120G0120 IXYS 非在庫リードタイム 29 週間工場特別発注	メーカ部品番号 LSIC1MO120G0120 Mouser 部品番号 576-LSIC1MO120G0120 工場特別発注	IXYS	SiC MOSFET 1200 V, 120 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L)	データシート	非在庫リードタイム 29 週間		見積依頼	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	27 A	150 mOhms	- 5 V, + 20 V	4 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	156 W	Enhancement
SiC MOSFET 1200 V, 160 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L) LSIC1MO120G0160 IXYS 非在庫リードタイム 29 週間工場特別発注	メーカ部品番号 LSIC1MO120G0160 Mouser 部品番号 576-LSIC1MO120G0160 工場特別発注	IXYS	SiC MOSFET 1200 V, 160 mOhm N-Channel SiC MOSFET (TO247-4L)	データシート	非在庫リードタイム 29 週間		見積依頼	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	22 A	200 mOhms	- 5 V, + 20 V	4 V	50 nC	- 55 C	+ 175 C	125 W	Enhancement
SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L LSIC1MO120G0040 IXYS 450: ¥3,715.7 非在庫リードタイム 29 週間	メーカ部品番号 LSIC1MO120G0040 Mouser 部品番号 576-LSIC1MO120G0040	IXYS	SiC MOSFET SiC MOSFET 1200V 40mO TO247-4L IXYS lsic1mo120g0x mosfets についての詳細を表示	データシート	非在庫リードタイム 29 週間	¥3,715.7	最低： 450 複数： 450	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	70 A	50 mOhms	- 5 V, + 20 V	4 V	175 nC	- 55 C	+ 175 C	357 W	Enhancement

LSIC1MO SiC MOSFET

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