NVBYST0D6N08X MOSFET

結果: 2
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12
データシート
1在庫
3,000予想2027/08/12
最低： 1
複数： 1
: 1,500

Si SMD/SMT TCPAK1012 N-Channel 1 Channel 80 V 767 A 640 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 228 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB8)
データシート
1,498予想2027/05/13
最低： 1
複数： 1
: 1,500

Si SMD/SMT DFLPAK-16 N-Channel 1 Channel 80 V 643 A 790 uOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 182 nC - 55 C + 175 C 652 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape