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NVBYST0D6N08X MOSFET

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結果: 2

適用されたフィルタ:

パッケージ/ケース

Id - 連続ドレイン電流

Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース

Qg - ゲート電荷

Pd - 電力損失

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選択	画像	部品番号	メーカ	説明	データシート	在庫状況	価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする	数量	RoHS	ECADモデル	技術	取り付け様式	パッケージ/ケース	トランジスタ極性	チャンネル数	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Id - 連続ドレイン電流	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Vgs - ゲート-ソース間電圧	Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧	Qg - ゲート電荷	最低動作温度	最高動作温度	Pd - 電力損失	チャネルモード	トレードネーム	パッケージ化
	MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 NVBYST0D6N08XTXG onsemi 1: ¥1,586.3 4,000取寄中新製品	メーカ部品番号 NVBYST0D6N08XTXG Mouser 部品番号 863-NVBYST0D6N08XTXG 新製品	onsemi	MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 onsemi nvbyst0d6n08x 80v power mosfet についての詳細を表示	データシート	4,000取寄中注文の出荷日メーカ番号： NVBYST0D6N08XTXG 在庫： 0 取寄中: 1,000 予想2026/10/19 1,500 予想2026/11/18 1,500 予想2026/11/20 工場リードタイム： 52 週間	カットテープ ¥1,586.3 ¥1,117.9 ¥903.6 リール ¥903.6	最低： 1 複数： 1 最大： 150 : 1,500			Si	SMD/SMT	TCPAK1012	N-Channel	1 Channel	80 V	767 A	640 uOhms	20 V	3.6 V	228 nC	- 55 C	+ 175 C	750 W	Enhancement	PowerTrench	Reel, Cut Tape
	MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB8) NVBYST0D8N08XTXG onsemi 1: ¥1,338.8 1,119在庫新製品	メーカ部品番号 NVBYST0D8N08XTXG Mouser 部品番号 863-NVBYST0D8N08XTXG 新製品	onsemi	MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET IN TCPAK 10X12 (FQB8) onsemi nvbyst0d8n08x mosfet についての詳細を表示	データシート	1,119在庫	カットテープ ¥1,338.8 ¥943.4 ¥762.4 リール ¥762.4	最低： 1 複数： 1 最大： 150 : 1,500			Si	SMD/SMT	DFLPAK-16	N-Channel	1 Channel	80 V	643 A	790 uOhms	20 V	3.6 V	182 nC	- 55 C	+ 175 C	652 W	Enhancement	PowerTrench	Reel, Cut Tape