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UMZ6.8NUMTL

Name: ROHM Semiconductor UMZ6.8NUMTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-UMZ6.8NUMTL
Price: 79 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

755-UMZ6.8NUMTL

メーカ番号：

UMZ6.8NUMTL

メーカ：

ROHM Semiconductor

詳細：

ESD保護ダイオード/TVSダイオード TVS for Surge Prot UMD3F

データシート:

UMZ6.8NUMTL データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 198

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¥-

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¥-

EST関税:

パッケージング:

完全リール（3000の倍数で注文）

カットテープ

MouseReel™ (+¥750)

価格 (JPY)

数量	ユニット価格	合計額
カットテープ/ MouseReel™ ^†
	¥79.7	¥80
	¥50	¥500
	¥30.6	¥3,060
	¥23.3	¥11,650
	¥20.4	¥20,400
完全リール（3000の倍数で注文）
	¥16.4	¥49,200
	¥15.4	¥92,400
	¥13.6	¥122,400
	¥12.8	¥307,200

† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ROHM Semiconductor
製品カテゴリー:	ESD保護ダイオード/TVSダイオード
RoHS:
極性:	Unidirectional
チャンネル数:	2 Channel
動作電圧:	5 V
末端様式:	SMD/SMT
破壊電圧:	6.8 V
パッケージ/ケース:	SOT-323FL-3
Cd - ダイオード静電容量（Diode Capacitance）:	21 pF
Vesd - 電圧ESDコンタクト:	8 kV
Vesd - 電圧ESDエアギャップ:	15 kV
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 150 C
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
パッケージ化:	MouseReel
ブランド:	ROHM Semiconductor
製品:	TVS Diodes
工場パックの数量:	3000
サブカテゴリ:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes
別の部品番号:	UMZ6.8NUM

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選択した属性: 0

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データシート

UMZ6.8NUMTL データシート (PDF)

Other

Dimensions (PDF)

Specification Sheets

Technical Resources

Test/Quality Data

RoHS (PDF)

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854110090
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8541100000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411029
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 韓国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

ESD/TVSダイオード

ROHM Semiconductor静電放電（ESD）/過渡電圧サプレッサ（TVS）ダイオードは、信頼性の高い保護ダイオードで、超小型および小型モールドタイプになっています。これらには、ESD保護ダイオード、超低容量ESD保護ダイオード、低容量ESD保護ダイオード、低容量保護デバイス、双方向ツェナーダイオード、双方向ESD保護ダイオード、TVSダイオードがあります。ESD/TVSダイオードは、さまざまな作動電圧、ダイオード静電容量、電力損失値があります。これらのダイオードは、単方向および双方向の極性バリアント、ならびに表面実装デバイス（SMD）終端スタイルが特徴です。
詳細

ショットキーバリアダイオード

ROHMショットキーバリアダイオードは、多種多様な高い信頼性がある低損失デバイスです。さまざまなパッケージでのご用意があります。このショットキーダイオードは、低順方向電圧と逆電流を実現しており、高ESD抵抗が備わっています。高温でも熱暴走がブロックされ、自動車システムおよび電源に優れています。このダイオードは、標準またはAEC-Q101の認定を受けています。このRBEダイオードは、改善された効率性と低いV_Fが特徴です。これらのダイオードは、80％以上スペースを占有することがなく、大電流処理能力を実現しています。