R1LP5256ESP-5SI#B1

Name: Renesas Electronics R1LP5256ESP-5SI#B1
Brand: Renesas Electronics
SKU: 968-R1LP5256ESP5SIB1
Price: 379 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

968-R1LP5256ESP5SIB1

メーカ番号：

R1LP5256ESP-5SI#B1

メーカ：

Renesas Electronics

詳細：

SRAM SRAM 256KB X8 5V SOP 55NS -40TO85C

データシート:

R1LP5256ESP-5SI#B1 データシート

ECADモデル:

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	¥374.4	¥3,744
	¥372.8	¥11,184
	¥371.2	¥100,224
	¥363.2	¥185,232
	¥353.6	¥360,672
	¥347.2	¥874,944

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Renesas Electronics
製品カテゴリー:	SRAM
RoHS:
メモリサイズ:	256 kbit
編成:	32 k x 8
アクセス時間:	55 ns
インタフェースタイプ:	Parallel
供給電圧 - 最大:	5.5 V
供給電圧 - 最小:	4.5 V
供給電流 - 最大:	35 mA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ化:	Tube
ブランド:	Renesas Electronics
水分感度:	Yes
製品タイプ:	SRAM
シリーズ:	R1LP5256E
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage

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データシート

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CNHTS:: 8542329010
USHTS:: 8542320041
TARIC:: 8542324500
ECCN:: EAR99

SRAMメモリとデータストレージ製品

Renesas Electronics SRAMメモリとデータストレージ製品には、高度ローパワーSRAMテクノロジーを使用した高密度・高性能RAMが搭載されています。これらのSRAM製品は、-40°C ～ 85°Cの広い温度範囲および2.7V ～ 3.6V (3V部品）または4.5V ～ 5.5V (5V部品）電圧範囲で動作します。SRAMメモリとデータストレージ製品には、低電力スタンバイ電力損失も備わっており、メモリアプリケーション、バッテリ動作、バッテリバックアップ設計に適しています。