Everspin Technologies メモリ IC

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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS 製品
製品タイプ
取り付け様式
パッケージ/ケース
メモリ サイズ
インタフェース タイプ
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 1 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 696
複数： 348

MRAM SMD/SMT BGA-48 1 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-48 1 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 1 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 696
複数： 348

MRAM SMD/SMT BGA-48 1 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-48 1 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 270
複数： 135

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 1 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 1 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 1 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） -40 to +85C
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-24 1 Mbit SPI
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） -40 to +85C
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000

MRAM SMD/SMT SOIC-16 1 Mbit SPI
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） 0 to +70C
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 960
複数： 480

MRAM SMD/SMT BGA-24 1 Mbit SPI
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） 0 to +70C
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-24 1 Mbit SPI
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） 0 to +70C
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000

MRAM SMD/SMT SOIC-16 1 Mbit SPI
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） -40 - +105C
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 960
複数： 480

MRAM SMD/SMT BGA-24 1 Mbit SPI
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ） -40 - +105C
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-24 1 Mbit SPI
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 QUAD SPI MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000

MRAM SMD/SMT SOIC-16 1 Mbit SPI
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 696
複数： 348

MRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 270
複数： 135

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 696
複数： 348

MRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-48 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 270
複数： 135

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 2 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 2 Mbit Parallel