Everspin Technologies メモリ IC

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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS 製品
製品タイプ
取り付け様式
パッケージ/ケース
メモリ サイズ
インタフェース タイプ
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 696
複数： 348

MRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 696
複数： 348

MRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

MRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,000
複数： 2,000
リール: 2,000

MRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,500
複数： 1,500
リール: 1,500

MRAM SMD/SMT TSOP-II-44 4 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 480
複数： 240

MRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

MRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

MRAM SMD/SMT TSOP-II-54 8 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000

MRAM SMD/SMT TSOP-II-54 8 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 480
複数： 240

MRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 2,500
複数： 2,500
リール: 2,500

MRAM SMD/SMT BGA-48 8 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 216
複数： 108

MRAM SMD/SMT TSOP-II-54 8 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000

MRAM SMD/SMT TSOP-II-54 8 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 216
複数： 108

MRAM SMD/SMT TSOP-II-54 8 Mbit Parallel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000

MRAM SMD/SMT TSOP-II-54 8 Mbit Parallel