MRAM(磁気抵抗メモリ)

結果: 83
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBDH13ES2R 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000
DFN-8 SPI 16 Mbit 2 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBDH13ES2T 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 910
複数: 455
DFN-8 SPI 16 Mbit 2 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

DFN-8 SPI 16 Mbit 2 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBDH13IS2R 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000
DFN-8 SPI 16 Mbit 2 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM016LXQBDH13IS2T 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 910
複数: 455
DFN-8 SPI 16 Mbit 2 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

DFN-8 SPI 16 Mbit 2 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 32Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

DFN-8 SPI 32 Mbit 4 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 32Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 580
複数: 290

DFN-8 SPI 32 Mbit 4 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 32Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM032LXQADG13ES2R 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000
DFN-8 SPI 32 Mbit 4 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 32Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

DFN-8 SPI 32 Mbit 4 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 32Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 580
複数: 290

DFN-8 SPI 32 Mbit 4 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 32Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

DFN-8 SPI 32 Mbit 4 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 64Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

DFN-8 SPI 64 Mbit 8 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 64Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 580
複数: 290

DFN-8 SPI 64 Mbit 8 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 64Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM064LXQADG13ES2R 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000
DFN-8 SPI 64 Mbit 8 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 64Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

DFN-8 SPI 64 Mbit 8 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 64Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

DFN-8 SPI 64 Mbit 8 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13CS2R 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13CS2T 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 580
複数: 290
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 580
複数: 290

DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA 0 C + 70 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 26 週間
最低: 1
複数: 1
リール: 2,000
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13IS2R 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM128LXQADG13IS2T 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 580
複数: 290
DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) IC RAM 128Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz 非在庫リードタイム 27 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

DFN-8 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 85 C Reel