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|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR25H10CDC
- Everspin Technologies
-
1,140:
¥1,387.2
-
非在庫リードタイム 27 週間
-
NRND
|
Mouser 部品番号
936-MR25H10CDC
NRND
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 27 週間
|
|
最低： 1,140
複数： 570
|
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|
DFN-8
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
|
2.7 V
|
3.6 V
|
6 mA, 23 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR25H10
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR25H10CDCR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥1,486.4
-
非在庫リードタイム 27 週間
-
NRND
|
Mouser 部品番号
936-MR25H10CDCR
NRND
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 27 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
|
2.7 V
|
3.6 V
|
6 mA, 23 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR25H10
|
Reel
|
|
|
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MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR25H10MDCR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥2,225.6
-
非在庫リードタイム 27 週間
-
NRND
|
Mouser 部品番号
936-MR25H10MDCR
NRND
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 27 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
1 Mbit
|
128 k x 8
|
8 bit
|
|
2.7 V
|
3.6 V
|
6 mA, 23 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR25H10
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR25H256CDCR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥1,304
-
非在庫リードタイム 27 週間
-
NRND
|
Mouser 部品番号
936-MR25H256CDCR
NRND
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 27 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
|
2.7 V
|
3.6 V
|
6 mA, 23 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR25H256
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR25H256MDC
- Everspin Technologies
-
1,140:
¥2,536
-
非在庫リードタイム 27 週間
-
NRND
|
Mouser 部品番号
936-MR25H256MDC
NRND
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 27 週間
|
|
最低： 1,140
複数： 570
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
|
2.7 V
|
3.6 V
|
6 mA, 23 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR25H256
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR25H256MDCR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥2,465.6
-
非在庫リードタイム 27 週間
-
NRND
|
Mouser 部品番号
936-MR25H256MDCR
NRND
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 32Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 27 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
256 kbit
|
32 k x 8
|
8 bit
|
|
2.7 V
|
3.6 V
|
6 mA, 23 mA
|
- 40 C
|
+ 125 C
|
MR25H256
|
Reel
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR25H40CDC
- Everspin Technologies
-
1,140:
¥3,384
-
非在庫リードタイム 27 週間
-
NRND
|
Mouser 部品番号
936-MR25H40CDC
NRND
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 27 週間
|
|
最低： 1,140
複数： 570
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
25 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
13.8 mA, 33 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR25H40
|
Tray
|
|
|
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
- MR25H40CDCR
- Everspin Technologies
-
4,000:
¥3,345.6
-
非在庫リードタイム 27 週間
-
NRND
|
Mouser 部品番号
936-MR25H40CDCR
NRND
|
Everspin Technologies
|
MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3V 512Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
|
|
非在庫リードタイム 27 週間
|
|
最低： 4,000
複数： 4,000
|
|
|
DFN-8
|
SPI
|
4 Mbit
|
512 k x 8
|
8 bit
|
25 ns
|
3 V
|
3.6 V
|
13.8 mA, 33 mA
|
- 40 C
|
+ 85 C
|
MR25H40
|
Reel
|
|
日本
