IS66WVH8M8BLL-100B1LI

Name: ISSI IS66WVH8M8BLL-100B1LI
Brand: ISSI
SKU: 870-WVH8M8BLL100B1LI
Price: 852 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

870-WVH8M8BLL100B1LI

メーカ番号：

IS66WVH8M8BLL-100B1LI

メーカ：

ISSI

詳細：

DRAM 64Mb 8Mbx8 3.0V 100MHz HyperRAM

データシート:

IS66WVH8M8BLL-100B1LI データシート (PDF)

ECADモデル:

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在庫: 781

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	ISSI
製品カテゴリー:	DRAM
RoHS:
タイプ:	HyperRAM
メモリサイズ:	64 Mbit
データバス幅:	8 bit
最高クロック周波数:	100 MHz
パッケージ/ケース:	TFGBA-24
編成:	8 M x 8
アクセス時間:	40 ns
供給電圧 - 最小:	2.7 V
供給電圧 - 最大:	3.6 V
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 85 C
シリーズ:	IS66WVH8M8BLL
ブランド:	ISSI
水分感度:	Yes
取り付け様式:	SMD/SMT
製品タイプ:	DRAM
工場パックの数量:	480
サブカテゴリ:	Memory & Data Storage
供給電流 - 最大:	35 mA
トレードネーム:	HyperRAM
単位重量:	84 mg

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データシート

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JPHTS:: 854232029
CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
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KRHTS:: 8542321020
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

HYPERRAM™ Self-refresh DRAM

ISSI HYPERRAM™ Self-Refresh DRAMs are high-speed CMOS with a HYPERBUS™ interface. The HYPERBUS is a low signal count, Double Data Rate (DDR) interface that allows high-speed read and write throughput. These devices are available in KGD/KTD and 24-pin BGA packages with 32Mb, 64Mb, 128Mb, and 256Mb densities. Other features include hidden refresh operation and low power consumption. These memory devices are ideal for mobile and automotive applications.