MRAM(磁気抵抗メモリ)

結果: 4
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 64Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
100予想2026/03/04
最低: 1
複数: 1

BGA-24 QSPI 64 Mbit 8 M x 8 1.7 V 2 V 48.5 mA - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 64Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
95予想2026/03/04
最低: 1
複数: 1

DFN-8 QSPI 64 Mbit 8 M x 8 1.7 V 2 V 48.5 mA - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 128Mb 133MHz 1.8V 24-BGA -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
100予想2026/03/04
最低: 1
複数: 1

BGA-24 QSPI 128 Mbit 16 M x 9 1.7 V 2 V - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 128Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
90予想2026/03/04
最低: 1
複数: 1

DFN-8 QSPI 128 Mbit 16 M x 9 1.7 V 2 V - 40 C + 125 C Tray