MRAM（磁気抵抗メモリ）

結果: 18
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース
インタフェース タイプ
メモリ サイズ
編成
データ バス幅
アクセス時間
供給電圧 - 最小
供給電圧 - 最大
動作供給電流
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
279在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
1,217在庫
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
255在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
5在庫
324予想2026/08/19
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
996予想2026/04/15
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 216
複数： 108

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 216
複数： 108

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 216
複数： 108

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 216
複数： 108

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1,000
複数： 1,000
リール: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Reel