Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ）

結果: 401
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数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース
インタフェース タイプ
メモリ サイズ
編成
データ バス幅
アクセス時間
供給電圧 - 最小
供給電圧 - 最大
動作供給電流
最低動作温度
最高動作温度
シリーズ
パッケージ化
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
189在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
117在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
252在庫
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 3.3V 32Mb MRAM（磁気抵抗メモリ） with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
データシート
156在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
335在庫
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Tray


Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13ES2T
データシート
47在庫
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz
データシート
70在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM004LXQBDH13IS2T
データシート
67在庫
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 32Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
データシート
9在庫
580予想2026/11/12
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 32 Mbit 4 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 64Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz SUGGESTED ALTERNATE EM064LXQADG13ES2T
データシート
38在庫
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 64 Mbit 8 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 128Mb Octal SPI in 24-BGA 200MHz
データシート
4在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-24 SPI 128 Mbit 16 M x 8 1.65 V 2 V 125 mA, 157 mA - 40 C + 105 C Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI
データシート
5在庫
3,420取寄中
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 125 C MR25H40 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 3.3V 32Mb MRAM（磁気抵抗メモリ） with unlimited read & write endurance, currently MSL 6
データシート
3在庫
最低： 1
複数： 1

BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray

Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 16Mb Quad SPI in 8-DFN 133 MHz
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910予想2026/06/03
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 16 Mbit 2 M x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA - 40 C + 85 C Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 64Mb 133MHz 1.8V 8-DFN -40C to +125C. AEC-Q100 Automotive Temp Grade
データシート
200予想2026/06/03
最低： 1
複数： 1

DFN-8 QSPI 64 Mbit 8 M x 8 1.7 V 2 V 48.5 mA - 40 C + 125 C Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPI
データシート
1,140予想2026/12/02
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 20 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 85 C MR20H40 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
1,620予想2026/07/15
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
2,000予想2026/07/15
MouseReel が利用可能
最低： 1
複数： 1
: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
10,402予想2026/07/15
最低： 1
複数： 1

DFN-8 SPI 256 kbit 32 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H256 Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
675予想2026/07/15
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR0A08B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
467在庫
3予想2026/05/27
最低： 1
複数： 1

BGA-48 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM（磁気抵抗メモリ）
データシート
264予想2026/07/15
最低： 1
複数： 1

TSOP-II-44 Parallel 256 kbit 32 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 25 mA, 55 mA - 40 C + 85 C MR256A08B Tray
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 在庫なし
最低： 2,000
複数： 2,000
: 2,000
BGA-78 256 Mbit 32 M x 8 1.425 V 1.575 V Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） 在庫なし
最低： 2,000
複数： 2,000
: 2,000
BGA-78 256 Mbit 16 M x 16 1.425 V 1.575 V Reel
Everspin Technologies MRAM（磁気抵抗メモリ） IC RAM 4Mb Octal SPI in 24-BGA 200 MHz
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 4,000
複数： 4,000
: 4,000
BGA-24 SPI 4 Mbit 512 k x 8 1.65 V 2 V 124 mA, 156 mA 0 C + 70 C Reel