CY7C1470V25-200BZXC

Infineon Technologies
727-CY1470V25200BZXC
CY7C1470V25-200BZXC

メーカ：

詳細：
SRAM 72MB (2Mx36) 2.5v 200MHz SRAM

データシート:
ECADモデル:
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¥-
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¥-
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価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥35,366.4 ¥35,366
¥32,731.2 ¥327,312
¥31,686.4 ¥792,160
¥31,193.6 ¥1,559,680
105 見積り

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: SRAM
RoHS:  
72 Mbit
2 M x 36
3 ns
200 MHz
Parallel
2.625 V
2.375 V
450 mA
0 C
+ 70 C
SMD/SMT
FBGA-165
Tray
ブランド: Infineon Technologies
メモリ タイプ: SDR
水分感度: Yes
製品タイプ: SRAM
シリーズ: CY7C1470V25
工場パックの数量: 105
サブカテゴリ: Memory & Data Storage
タイプ: Synchronous
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
8542320194
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320041
USHTS:
8542320041
KRHTS:
8542321020
TARIC:
8542324500
MXHTS:
8542320299
ECCN:
3A991.b.2.b

Synchronous SRAM

Infineon Technologies Synchronous SRAM offers true random memory access capabilities required for networking and other high-performance applications. The Infineon Synchronous SRAM portfolio is available with several features designed to solve networking and high-performance computing challenges. The portfolio includes standard synchronous SRAM, No Bus Latency SRAM, and QDR® SRAM with various speeds, word widths, densities, and packages. Infineon Synchronous SRAM devices are ideal for many applications, including high-speed network switches & routers, communications infrastructure, test equipment, imaging and video, and high-performance computing.

NoBL Sync SRAM

Infineon Technologies No Bus Latency (NoBL) Burst SRAM eliminates the bus turnaround delay associated with switching between read and write operations to lower latency and increase performance. NoBL SRAM is popular in networking and test equipment applications. Similar to Infineon Standard Synchronous Burst SRAM counterparts, NoBL SRAM is offered in Flow-through and Pipelined architectures. Flow-through parts offer lower latencies, and pipelined parts offer higher operating frequencies, allowing users to select the optimal memory for their application.

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