TGA2307-SM

Qorvo
772-TGA2307-SM
TGA2307-SM

メーカ：

詳細：
RF モジュール 5-6GHz 50W GaN PAE >44% SSG >26dB

データシート:
ECADモデル:
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製品属性 属性値 属性の選択
Qorvo
製品カテゴリー: RF モジュール
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RoHS:  
TGA2307
RF Amplifiers
- 40 C
+ 85 C
Waffle
ブランド: Qorvo
水分感度: Yes
動作供給電圧: 28 V
製品タイプ: RF Modules
工場パックの数量: 10
サブカテゴリ: Wireless & RF Modules
別の部品番号: TGA2307 1125999
単位重量: 117.300 mg
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選択した属性: 0

データシート

PCN

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CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
KRHTS:
8532331000
TARIC:
8517620090
MXHTS:
8542330201
ECCN:
3A001.b.2.a.4

GaN Power Amplifiers

Qorvo GaN Power Amplifiers allow unique, cost-effective solutions across a variety of applications. With these high-power amplifiers designed for military, commercial, satellite communications and radar systems, Qorvo offers GaN-based products meeting today's market needs and future requirements.

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

TGA2307-SM 50W GaN Power Amplifier

Qorvo TGA2307-SM 50W GaN Power Amplifier operates from 5GHz to 6GHz and features a copper alloy base for superior thermal management. Developed using Qorvo's 0.25µm GaN (Gallium-Nitride) on SiC (Silicon Carbide) production process, the TGA2307-SM amplifier achieves greater than 47dBm of saturated output power with a power-added efficiency greater than 44% and a large signal gain greater than 20dB. The RF ports are fully matched to 50Ω with integrated DC blocking capacitors, making the TGA2307 amplifier ideally suited to support both commercial and military applications.

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