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Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
10/31/2025
低ゲート電荷で高速スイッチング性能を提供し、最大ドレイン-ソース電圧は60Vです。
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
10/31/2025
2つのMOSFETが単一のPowerDI® 5mm x 6mmパッケージに統合されており、優れた熱性能が備わっています。
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 NチャンネルエンハンストモードMOSFET
Diodes Incorporated DMN1057UCA3 NチャンネルエンハンストモードMOSFET
10/21/2025
優れたスイッチング性能を備えており、高効率電力管理アプリケーションに最適です。
Diodes Incorporated DXTP80x PNPバイポーラトランジスタ
Diodes Incorporated DXTP80x PNPバイポーラトランジスタ
09/18/2025
PNPバイポーラトランジスタは、小型フォームファクタで熱効率に優れたPowerDI 3333-8パッケージになっています。
Diodes Incorporated DXTN80x NPNバイポーラトランジスタ
Diodes Incorporated DXTN80x NPNバイポーラトランジスタ
09/17/2025
小型フォームファクタ、熱効率に優れたPowerDI 3333-8パッケージになっており、さらなる高密度製品を対象としています。
Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低VCE (SAT)トランジスタ
Diodes Incorporated DXTN69060C 60V NPN超低VCE (SAT)トランジスタ
11/14/2024
超低VCE (SAT) 性能を達成するための独自の構造が特徴です。
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V Nチャンネル拡張型MOSFET
Diodes Incorporated DMT31M8LFVWQ 30V Nチャンネル拡張型MOSFET
10/01/2024
熱効率に優れた小型フォームファクタパッケージで、低オン抵抗を実現します。
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V NチャネルエンハンスメントモードMOSFET
Diodes Incorporated DMN2992UFA 20V NチャネルエンハンスメントモードMOSFET
08/01/2024
20V NチャネルMOSFETは、RDS (ON)を最小限に抑えるように設計されており、X2-DFN0806-3パッケージで提供されます。
Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1,200V NチャンネルパワーMOSFET
Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1,200V NチャンネルパワーMOSFET
06/24/2024
オン状態抵抗を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を維持するように設計されています。
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30V P-Ch拡張モードMOSFET
Diodes Incorporated DMP3014SFDE 30V P-Ch拡張モードMOSFET
05/01/2024
スイッチング性能を維持し、オン抵抗とゲート閾値電圧が低いです。
Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80V PNP中電力トランジスタ
Diodes Incorporated BC53-16PAWQ 80V PNP中電力トランジスタ
05/01/2024
フットプリントがSOT-23パッケージよりも50%小型化されたコンパクトなDFN2020-3パッケージでご用意があります。
Diodes Incorporated DMT26M0LDG非対称デュアルNチャンネルMOSFET
Diodes Incorporated DMT26M0LDG非対称デュアルNチャンネルMOSFET
04/01/2024
オン状態抵抗（RDS(ON)）を最小限に抑えるように設計されていると同時に、優れたスイッチング性能を維持します。
Diodes Incorporated DMP68D1LVデュアルPチャンネル拡張型MOSFET
Diodes Incorporated DMP68D1LVデュアルPチャンネル拡張型MOSFET
01/01/2024
低オン抵抗と低入力容量を実現しつつ、優れたスイッチング性能を維持します。
Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200V NチャンネルSiCパワーMOSFET
Diodes Incorporated DMWS120H100SM4 1200V NチャンネルSiCパワーMOSFET
06/02/2023
オン状態抵抗を最小限に抑えながら、優れたスイッチング性能を維持するように設計されています。
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ Nチャネル拡張モードMOSFET
Diodes Incorporated DMTH46M7SFVWQ Nチャネル拡張モードMOSFET
03/30/2023
AEC-Q101認定MOSFETで、最小限のオン状態損失を保証する低RDS (ON) が備わっています。
Diodes Incorporated MJD 車載用中電力トランジスタ
Diodes Incorporated MJD 車載用中電力トランジスタ
03/21/2023
デバイスは、AEC-Q101認定、PPAP対応、IATF16949認証施設で製造
Diodes Incorporated DMN52D0UV Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0UV Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
03/06/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMN3732UFB4 Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
Diodes Incorporated DMN3732UFB4 Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/24/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
Diodes Incorporated DMTH15H017LPSWQ Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/18/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ Nチャンネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/17/2023
オン状態損失を最小化する低RDS(ON)を備えたAEC-Q101規格に対応するMOSFETです。
Diodes Incorporated DMN52D0UVA Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0UVA Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/04/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated DMN52D0LT Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
Diodes Incorporated DMN52D0LT Nチャネル・エンハンスメント・モードMOSFET
01/04/2023
RDS(ON)を最小化し卓越したスイッチング性能を維持するように設計されたデュアルNチャネルMOSFETです。
Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ低電圧アバランシェトランジスタ
Diodes Incorporated FMMT411FDBWQ低電圧アバランシェトランジスタ
11/23/2022
アバランシェモードでの動作を目的に設計されたシリコン平面バイポーラ・トランジスタです。
Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ車載用エンハンスメントモードMOSFET
Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ車載用エンハンスメントモードMOSFET
05/11/2022
AEC-Q101認定80V、270A Nチャンネル拡張モードMOSFETで 、PowerDI®1012-8（TOLL）パッケージに収められています。
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TDK-Lambda i1R ORing MOSFETモジュール
TDK-Lambda i1R ORing MOSFETモジュール
02/05/2026
従来のダイオードに取って代わるように設計された高効率・低損失のパワーデバイスです。
IXYS X4-ClassパワーMOSFET
IXYS X4-ClassパワーMOSFET
02/02/2026
低オン状態抵抗と低い伝導損失を提供し、効率性が向上しています。
Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
Qorvo QPD1014A GaN入力整合トランジスタ
01/20/2026
15W（P3dB）、50Ω入力整合型ディスクリートGan-on-SiC HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
Qorvo QPD1004A GaN入力トランジスタ整合
01/19/2026
25W、50Ω入力整合型ディスクリートGaN on SiC HEMTは、50V電源レール上で30MHz～1400MHzで動作します。
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
Qorvo QPD1011A GaN入力整合トランジスタ
01/19/2026
7W（P3dB）、50Ω入力整合ディスクリート窒化ガリウム（GaN）炭化ケイ素（SiC）HEMTで30MHz～1.2GHzという動作周波数範囲で動作します。
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVBYST0D6N08X 80V NチャンネルパワーMOSFET
12/26/2025
このデバイスは、低 QRR とソフトリカバリ特性のボディダイオードを備え、TCPAK1012（TopCool）パッケージを採用しています。
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
Infineon Technologies OptiMOS™ 6 80VパワーMOSFET
12/23/2025
幅広い製品ポートフォリオの提供により、業界のベンチマークとなる性能を実現します。
onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
onsemi NVMFD5877NLデュアルNチャンネルMOSFET
12/19/2025
コンパクトで、高熱発電性能など効率的な設計を実現するように設計されています。
Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
Infineon Technologies CoolSiC™ 車載用 750V G2 MOSFET
12/19/2025
電気自動車（EV）アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
12/04/2025
効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFET
12/04/2025
低実効出力容量、超低ゲート電荷が特長
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
Infineon Technologies 750V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 ディスクリートトランジスタ
12/01/2025
DTO247パッケージを採用しており、従来のTO247パッケージで並列接続されていたの複数の低電流トランジスタを置き換えます。
onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
onsemi 60mΩ（標準値）FDC642P-F085小信号MOSFET
11/25/2025
高性能トレンチ技術を採用しており、極めて低いRDS(on)と高速なスイッチング速度を実現します。
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
onsemi NTTFS007P02P8 Pチャンネル 低/中電圧 MOSFET
11/25/2025
PowerTrench 技術を使用して製造されており、極めて低いRDS(on) のスイッチング性能と堅牢性を実現しています。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
iDEAL Semiconductor iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFETs
11/24/2025
Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.
Central Semiconductor 1,700V Nチャンネル・シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
Central Semiconductor 1,700V Nチャンネル・シリコンカーバイド(SiC) MOSFET
11/20/2025
These MOSFETS are designed for high-speed switching and fast reverse recovery applications.
onsemi NVD5867NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVD5867NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
11/20/2025
ドレイン・ソース電圧60V、ドレイン・ソース間オン抵抗39mΩ、AEC-Q101基準に適合。
onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ
onsemi NVD6824NLシングルNチャネルMOSFETアセンブリ
11/20/2025
伝導損失を最小限に抑える低RDS(on)と大電流能力を備えています。
onsemi NVMFS5832NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVMFS5832NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
11/19/2025
効率的な電力スイッチングが必要になる低電圧アプリケーション向けに設計された高性能MOSFET。
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
onsemi AFGB30T65RQDN IGBT
11/19/2025
導通損失とスイッチング損失が低い高輝度性能指数が備わっています。
onsemi NVMFS5830NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
onsemi NVMFS5830NLシングルNチャンネルパワーMOSFET
11/19/2025
要求の厳しい電源管理アプリケーション向けに設計された高効率シングルNチャネルパワーMOSFETです。
STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
11/07/2025
GaNテクノロジーをベースにしたトランジスタ。電力変換アプリケーションの高まるニーズに応えます。
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
Comchip Technology AMMBT2222AM NPN Automotive Small Signal Transistor
10/31/2025
The device has a 75V collector-base voltage rating and a 600mA collector current-continuous rating.
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
Diodes Incorporated DMTH64M2LPDWデュアルNチャンネルEモードMOSFET
10/31/2025
2つのMOSFETが単一のPowerDI® 5mm x 6mmパッケージに統合されており、優れた熱性能が備わっています。
Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
Diodes Incorporated 2N7002 NチャンネルEモードフィールド効果トランジスタ
10/31/2025
低ゲート電荷で高速スイッチング性能を提供し、最大ドレイン-ソース電圧は60Vです。
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