SiT8008 Low Power Programmable Oscillators

SiTime SiT8008 and SiT8008B low-power programmable oscillators include a programmable drive strength feature to provide a simple, flexible tool to optimize the clock rise/fall time for specific applications. The programmable drive strength improves system radiated electromagnetic interference (EMI) by slowing down the clock rise/fall time. The programmable drive strength also improves the downstream clock receiver’s (RX) jitter by decreasing (speeding up) the clock rise/fall time. The components have the ability to drive large capacitive loads while maintaining full swing with sharp edge rates. The oscillators exhibit EMI reduction by slowing rise/fall time and jitter reduction with faster rise/fall time. Power supply noise can be a source of jitter for the downstream chipset. One way to reduce this jitter is to speed up the rise/fall time of the input clock. Some chipsets may also require faster rise/fall time in order to reduce their sensitivity to this type of jitter. The components have high output load capability. The rise/fall time of the input clock varies as a function of the actual capacitive load the clock drives. At any given drive strength, the rise/fall time becomes slower as the output load increases. The devices can support up to 60pF or higher in maximum capacitive loads with drive strength settings.

結果: 661
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS パッケージ/ケース 周波数 周波数安定性 負荷容量 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 出力フォーマット 定格電流 最低動作温度 最高動作温度 認証 シリーズ
SiTime MEMS オシレータ -20 to 70C, 2520, 25ppm, 1.8V, 24MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 216在庫
最低: 1
複数: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -20 to 70C, 3225, 50ppm, 3.3V, 34MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 223在庫
最低: 1
複数: 1
: 250

34 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -20 to 70C, 3225, 50ppm, 3.3V, 8MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 71在庫
最低: 1
複数: 1
: 250
8 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 20 C + 70 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 62.5MHz 3.3V -40C +85C 217在庫
最低: 1
複数: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 62.5 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 8.00MHz -40C +85C 3.3V 50ppm 362在庫
650予想2026/07/15
最低: 1
複数: 1
: 250

8 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 12.0MHz -40C +85C 2.5-3.3V 50ppm 294在庫
最低: 1
複数: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 12 MHz 50 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 3225, 20ppm, 3.3V, 100MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 526在庫
最低: 1
複数: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 100 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 8MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 273在庫
最低: 1
複数: 1
: 250

8 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 3225, 25ppm, 3.3V, 80MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm 262在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

80 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 10MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 84在庫
最低: 1
複数: 1
: 250

10 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 20.0MHz -40C +85C 2.5-3.3V 50ppm 95在庫
最低: 1
複数: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 20 MHz 50 PPM 60 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 80MHz 3.3Volt 20ppm -40C +85C 124在庫
最低: 1
複数: 1
: 250

5 mm x 3.2 mm 80 MHz 20 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 2016, 20ppm, 1.8V, 33.333333MHz, ST, 1k pcs T&R 8 mm 559在庫
2,000予想2026/11/20
最低: 1
複数: 1
: 1,000

33.333333 MHz 20 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 2016, 50ppm, 2.25V-3.63V, 52MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm 715在庫
最低: 1
複数: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 52 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 7050, 50ppm, 3.3V, 100MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm 211在庫
最低: 1
複数: 1
: 250

7 mm x 5 mm 100 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 7050, 50ppm, 2.25V-3.63V, 24MHz, ST, 250 pcs T&R 12/16 mm 165在庫
最低: 1
複数: 1
: 250

24 MHz 50 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 2520, 20ppm, 3.3V, 2.048MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm 592在庫
最低: 1
複数: 1
: 250

2.048 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ 12.288MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 135在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

5 mm x 3.2 mm 12.288 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B

SiTime MEMS オシレータ 148在庫
最低: 1
複数: 1

96 MHz 25 PPM 2.25 V 2.75 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 3225, 25ppm, 1.8V, 100MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
277取寄中
最低: 1
複数: 1
: 250

100 MHz 25 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 3225, 50ppm, 3.3V, 12.5MHz, OE, 1k pcs T&R 8 mm
669予想2026/09/22
最低: 1
複数: 1
: 1,000

12.5 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 2016, 20ppm, 3.3V, 16MHz, ST, 250 pcs T&R 8 mm
500予想2026/07/23
最低: 1
複数: 1
: 250

16 MHz 20 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 2016, 25ppm, 3.3V, 24MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
189予想2026/11/30
最低: 1
複数: 1
: 250

24 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 2016, 50ppm, 3.3V, 33.333333MHz, OE, 250 pcs T&R 8 mm
485取寄中
最低: 1
複数: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 33.333333 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 3.8 mA - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B
SiTime MEMS オシレータ -40 to 85C, 7050, 25ppm, 3.0V, 4.194304MHz, OE, 250 pcs T&R 12/16 mm
240予想2026/11/16
最低: 1
複数: 1
: 250

4.194304 MHz 25 PPM 2.25 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS - 40 C + 85 C AEC-Q100 SiT8008B