STDRIVEG210Q

Name: STMicroelectronics STDRIVEG210Q
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG210Q
Price: 425 JPY
Availability: InStock

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製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

511-STDRIVEG210Q

メーカ番号：

STDRIVEG210Q

メーカ：

STMicroelectronics

詳細：

ゲートドライバ High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V

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	¥260.8	¥26,080
	¥246.4	¥61,600
	¥236.8	¥116,032
	¥228.8	¥224,224
	¥217.6	¥639,744

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	STMicroelectronics
製品カテゴリー:	ゲートドライバ
RoHS:
製品:	Gate Drivers
タイプ:	Half-Bridge
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	QFN-18
ドライバ数:	2 Driver
出力数:	2 Output
出力電流:	1.05 A, 2.4 A
供給電圧 - 最小:	9.2 V
供給電圧 - 最大:	18 V
上昇時間:	22 ns
下降時間:	11 ns
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 125 C
パッケージ化:	Tray
ブランド:	STMicroelectronics
入力電圧－最大:	20 V
入力電圧－最小:	3 V
最長電源切断遅延時間:	60 ns
最長電源投入遅延時間:	60 ns
水分感度:	Yes
動作供給電流:	920 uA
出力電圧:	220 V
製品タイプ:	Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大:	60 ns
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	7 Ohms
シャットダウン:	Shutdown
工場パックの数量:	490
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
技術:	GaN

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

STDRIVEG600ハーフブリッジゲートドライバ

STMicroelectronics STDRIVEG600ハーフブリッジゲートドライバは、シングルチップ・ハーフブリッジゲートドライバで、GaN (窒化ガリウム) eHEMT (エンハンスメントモード高電子移動度トランジスタ）またはNチャンネルパワーMOSFETを対象としています。STDRIVEG600のハイサイドは、最高600Vまでの電圧に耐えるように設計されており、最高500Vまでのバス電圧をともなう設計に適しています。このデバイスは、その大電流能力、短い伝搬遅延、最低5Vまでの電源電圧での動作のおかげで、高速GaNおよびシリコンFETの駆動に最適です。

STDRIVEG210ハーフブリッジ・ゲートドライバ

STMicroelectronics STDRIVEG210ハーフブリッジ・ゲートドライバは、Nチャネル・エンハンスメント・モードGaN用に設計されており、ハイサイド・ドライバセクションは、最高220Vの電圧レールに耐えることができます。大電流能力、優れた遅延整合が備わった短い伝搬遅延、統合LDOが特徴です。そのため高速GaN駆動向けに最適化されています。STDRIVEG210ハーフブリッジ・ゲートドライバは、高速起動と低消費ソフトスイッチングアプリケーション向けにカスタマイズされた供給UVLOが特徴です。ハイサイドレギュレータは、非常に短いウェイクアップ時間が特徴で、断続動作（バーストモード）時のアプリケーション効率を最大化できます。コントローラとの簡単な接続を可能にするさまざまな種類の入力ピンを使用することができます。スタンバイピンを使用すると、非アクティブ期間またはバーストモード時の電力消費を低減できます。アプリケーションには、DC/DC、AC/DC、共振コンバータ、同期整流、UPS、アダプタ、LED照明、USB-Cなどがあります。