Fastron RF インダクタ

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数量 RoHS インダクタンス
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Fastron RFインダクタ - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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非在庫リードタイム 9 週間
最低： 1,000
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51 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RFインダクタ - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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非在庫リードタイム 9 週間
最低： 1,000
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56 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RFインダクタ - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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非在庫リードタイム 9 週間
最低： 1,000
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68 nH 5 % 100 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RFインダクタ - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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最低： 1,000
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72 nH 5 % 80 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RFインダクタ - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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900 pH 10 % 1.36 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RFインダクタ - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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1 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RFインダクタ - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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1.2 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RFインダクタ - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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1.8 nH 10 % 1.04 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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1.9 nH 10 % 1.04 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RFインダクタ - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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2 nH 10 % 1.04 A SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
Fastron RFインダクタ - SMD Ceramic Core Chip Inductor
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2.2 nH 10 % 640 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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2.4 nH 10 % 640 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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2.5 nH 10 % 640 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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2.7 nH 10 % 640 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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2.9 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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3.3 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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3.6 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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3.9 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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4.3 nH 10 % 700 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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4.7 nH 10 % 640 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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5.1 nH 5 % 800 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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5.6 nH 5 % 760 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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6.2 nH 5 % 760 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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6.8 nH 5 % 680 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200
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リール: 1,000

7.5 nH 5 % 680 mA SMD/SMT + 150 C AEC-Q200