RF MOSFETトランジスタ

結果: 2
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル トランジスタ極性
技術
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
動作周波数
ゲイン
出力電力
最高動作温度
取り付け様式
パッケージ/ケース
パッケージ化
Ampleon RF MOSFETトランジスタ Power LDMOS Transistor
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 100
複数： 100
リール: 100

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Reel
Ampleon RF MOSFETトランジスタ Power LDMOS Transistor
データシート
非在庫リードタイム 16 週間
最低： 60
複数： 60

N-Channel LDMOS 65 V 760 mOhms 2.4 GHz to 2.5 GHz 18.5 dB 30 W + 225 C SMD/SMT SOT1135B-3 Tray