MACOM RF MOSFETトランジスタ

結果: 2
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル トランジスタ極性
技術
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
動作周波数
ゲイン
出力電力
最高動作温度
取り付け様式
パッケージ/ケース
パッケージ化
MACOM RF MOSFETトランジスタ RF LDMOS FET
データシート
在庫なし
最低： 50
複数： 50
リール: 50

N-Channel Si 105 V 100 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 17.5 dB 450 W + 225 C SMD/SMT H-33288-2 Reel
MACOM RF MOSFETトランジスタ RF LDMOS FET
データシート
在庫なし
最低： 250
複数： 250
リール: 250

N-Channel Si 105 V 100 mOhms 960 MHz to 1.215 GHz 17.5 dB 450 W + 225 C SMD/SMT H-33288-2 Reel