AFT27S006N シリーズ RF MOSFETトランジスタ

結果: 2
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル トランジスタ極性 技術 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 動作周波数 ゲイン 出力電力 最低動作温度 最高動作温度 取り付け様式 パッケージ/ケース パッケージ化
NXP Semiconductors AFT27S006NT1
NXP Semiconductors RF MOSFETトランジスタ Airfast RF Power LDMOS Transistor, 728-3700 MHz, 28.8 dBm Avg., 28 V 1,248在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,000

N-Channel Si 65 V 728 MHz to 3.7 GHz 16 dB 28.8 dBm - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5W Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors AFT27S006N-1000M
NXP Semiconductors RF MOSFETトランジスタ AFT27S006N-1000M 非在庫リードタイム 53 週間
最低: 1
複数: 1
N-Channel Si 65 V 728 MHz to 3.7 GHz 16 dB 28.8 dBm - 40 C + 150 C SMD/SMT PLD-1.5W