EPC2091

EPC
65-EPC2091
EPC2091

メーカ:

詳細:
GaN FET 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP

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新製品:
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ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,452.8 ¥1,453
¥996.8 ¥9,968
¥796.8 ¥79,680
完全リール(1000の倍数で注文)
¥649.6 ¥649,600

製品属性 属性値 属性の選択
EPC
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
1 Channel
Die
SMD/SMT
- 40 C
+ 150 C
Reel
Cut Tape
ブランド: EPC
チャネルモード: Enhancement
構成: Single
Id - 連続ドレイン電流: 126 A
製品: Power Transistor
製品タイプ: GaN FETs
Qg - ゲート電荷: 20 nC
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース: 2 mOhms
工場パックの数量: 1000
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
トレードネーム: eGaN FET
トランジスタ極性: N-Channel
トランジスタ タイプ: 1 N-Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧: 100 V
Vgs - ゲート-ソース間電圧: 6 V, - 4 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧: 2.5 V
単位重量: 12.500 mg
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選択した属性: 0

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99