EPC2103

EPC
65-EPC2103
EPC2103

メーカ：

詳細：
GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3

ライフサイクル:
Mouser 初
データシート:
ECADモデル:
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在庫: 1,000

在庫：
1,000 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
18 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥1,713.6 ¥1,714
¥1,190.4 ¥11,904
¥992 ¥99,200
完全リール（500の倍数で注文）
¥809.6 ¥404,800

製品属性 属性値 属性の選択
EPC
製品カテゴリー: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
Die
N-Channel
2-Channel
80 V
30 A
5.5 mOhms
6 V, - 4 V
2.5 V
6.5 nC, 6.5 nC
- 40 C
+ 150 C
Enhancement
eGaN FET
ブランド: EPC
構成: Dual
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品: Power Transistor
製品タイプ: GaN FETs
工場パックの数量: 500
サブカテゴリ: Transistors
技術: GaN
トランジスタ タイプ: 2 N-Channel
タイプ: Half-Bridge
単位重量: 23 mg
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選択した属性: 0

データシート

JPHTS:
854129000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290040
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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