SICW100N065H4-BP

Name: Micro Commercial Components (MCC) SICW100N065H4-BP
Brand: Micro Commercial Components (MCC)
SKU: 833-SICW100N065H4-BP
Price: 1115 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

833-SICW100N065H4-BP

メーカ番号：

SICW100N065H4-BP

メーカ：

Micro Commercial Components (MCC)

詳細：

SiC MOSFET SiC MOSFET,TO-247-4

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SICW100N065H4-BP データシート (PDF)

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	¥817.6	¥8,176
	¥660.8	¥66,080
	¥587.2	¥293,600
	¥520	¥520,000

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Micro Commercial Components (MCC)
製品カテゴリー:	SiC MOSFET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-4
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	32 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	130 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.6 V
Qg - ゲート電荷:	66 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	166 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Micro Commercial Components (MCC)
構成:	Single
下降時間:	15 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	8.5 S
パッケージ化:	Bulk
製品:	SiC MOSFETS
製品タイプ:	SiC MOSFETS
上昇時間:	17 ns
工場パックの数量:	1800
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	SiC
標準電源切断遅延時間:	15 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	15 ns

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データシート

SICW100N065H4-BP データシート (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SICWx炭化ケイ素（SIC）MOSFET

Micro Commercial Components (MCC) のSICWx炭化ケイ素（SIC）MOSFETは、650Vの高速スイッチング機能を持つMOSFETです。これらのMOSFETはSICテクノロジーを使用しており、高電圧アプリケーションに適しており、過酷な産業環境でも信頼性の高い性能を提供します。SICWx MOSFETは、低いR_DS（on）と低ゲートチャージを備えており、スイッチング損失を最小限に抑え、全体的なシステム効率性を向上させます。効率を向上させる設計とTO-247パッケージが優れた熱性能を提供し、3ピンおよび4ピン（ケルビンソースピン）オプションが多様性を高めます。SICWx MOSFETは、堅牢な設計とアバランシェ能力を備えており、より良い熱管理と効率性を実現します。これらのMOSFETは、電源、テレコミュニケーション、再生可能エネルギーシステム、モータドライブでの使用に最適です。

DC Fast Charging Solutions

MCC DC Fast Charging Solutions support the next generation of EV infrastructures with high-performance components designed for speed, safety, and system efficiency. As global EV adoption accelerates, fast chargers are crucial for meeting driver expectations, cutting charge times dramatically, and making electric mobility more practical and scalable.