クロックバッファ

結果: 14
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 出力数 最高出力周波数 伝搬遅延 - 最大 出力タイプ パッケージ/ケース 最高入力周波数 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 最低動作温度 最高動作温度
SiTime クロックバッファ 3在庫
150予想2026/04/13
最低: 1
複数: 1

2 Output 200 MHz 1.6 ns LVCMOS DFN-8 200 MHz 1.71 V 3.465 V - 40 C + 105 C
SiTime クロックバッファ -40C to 85C, 8pin, 2020, 1.8V-3.3V, 1 inputs, 4 outputs 472在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 500

4 Output 1.6 ns LVCMOS TSSOP-8 200 MHz 1.71 V 3.465 V - 40 C + 85 C
SiTime クロックバッファ -40C to 125C, 8pin, 2020, 1.8V-3.3V, 1 inputs, 4 outputs 237在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 500

4 Output 200 MHz 3.4 ns LVCMOS DFN-8 200 MHz 1.71 V 3.465 V - 40 C + 125 C
SiTime クロックバッファ
50予想2026/05/19
最低: 1
複数: 1

4 Output 200 MHz 1.6 ns LVCMOS TSSOP-8 200 MHz 1.71 V 3.465 V - 40 C + 105 C
SiTime クロックバッファ 在庫なし
最低: 3,000
複数: 3,000
リール: 3,000

2 Output 200 MHz 1.6 ns LVCMOS DFN-8 200 MHz 1.71 V 3.465 V - 40 C + 105 C
SiTime クロックバッファ 在庫なし
最低: 1
複数: 1
リール: 250

2 Output 200 MHz 1.6 ns LVCMOS DFN-8 200 MHz 1.71 V 3.465 V - 40 C + 105 C
SiTime クロックバッファ 在庫なし
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

2 Output 200 MHz 1.6 ns LVCMOS DFN-8 200 MHz 1.71 V 3.465 V - 40 C + 105 C
SiTime クロックバッファ 在庫なし
最低: 3,000
複数: 3,000
リール: 3,000

4 Output 200 MHz 1.6 ns LVCMOS TSSOP-8 200 MHz 1.71 V 3.465 V - 40 C + 105 C
SiTime クロックバッファ 在庫なし
最低: 1
複数: 1
リール: 250

4 Output 200 MHz 1.6 ns LVCMOS TSSOP-8 200 MHz 1.71 V 3.465 V - 40 C + 105 C
SiTime クロックバッファ 在庫なし
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

4 Output 200 MHz 1.6 ns LVCMOS TSSOP-8 200 MHz 1.71 V 3.465 V - 40 C + 105 C
SiTime クロックバッファ 在庫なし
最低: 1
複数: 1

4 Output 200 MHz 3.4 ns LVCMOS DFN-8 200 MHz 1.71 V 3.465 V - 40 C + 125 C
SiTime クロックバッファ 在庫なし
最低: 3,000
複数: 3,000
リール: 3,000

4 Output 200 MHz 3.4 ns LVCMOS DFN-8 200 MHz 1.71 V 3.465 V - 40 C + 125 C
SiTime クロックバッファ 在庫なし
最低: 1
複数: 1
リール: 250

4 Output 200 MHz 3.4 ns LVCMOS DFN-8 200 MHz 1.71 V 3.465 V - 40 C + 125 C
SiTime クロックバッファ 在庫なし
最低: 1
複数: 1
リール: 1,000

4 Output 200 MHz 3.4 ns LVCMOS DFN-8 200 MHz 1.71 V 3.465 V - 40 C + 125 C