EPC GaN FET

結果: 56
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 チャネルモード トレードネーム
EPC GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 2,500
複数: 500
リール: 500

SMD/SMT BGA-75 N-Channel 2 Channel 60 V 30 A 4.9 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 8 nC, 11 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN Symetrical Half Bridge,100 V, 6.8 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 2,500
複数: 500
リール: 500

SMD/SMT Die 2 Channel 100 V 30 A 6.8 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 6.8 nC, 6.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 12,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SMD/SMT BGA N - Channel 2 Channel 120 V 3.4 A 110 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 0.8 nC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 12,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SMD/SMT BGA N - Channel 1 Channel 100 V 5 A 58 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 0.85 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 2,500
複数: 500
リール: 500

SMD/SMT BGA N - Channel 1 Channel 160 V 48 A 8 mOhms - 4 V 2.5 V 11.1 nC - 55 C + 150 C Enhancement eGaN FET
EPC GaN FET EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 非在庫リードタイム 18 週間
最低: 12,500
複数: 2,500
リール: 2,500

SMD/SMT LGA-6 N-Channel 1 Channel 65 V 2 A 480 mOhms 6 V, - 4 V 2.5 V 133 pC - 40 C + 150 C Enhancement eGaN FET