|
|
MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V
- SiSS4402DN-T1-GE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
¥392.8
-
12,383在庫
|
Mouser 部品番号
78-SISS4402DN-T1-GE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V
|
|
12,383在庫
|
|
|
¥392.8
|
|
|
¥254.3
|
|
|
¥172.8
|
|
|
¥138.2
|
|
|
表示
|
|
|
¥135.6
|
|
|
¥128.4
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerPAK 1212-8S
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
- SISS4402DN-T1-UE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
¥389.6
-
2,834在庫
|
Mouser 部品番号
78-SISS4402DN-T1-UE3
|
Vishay / Siliconix
|
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
|
|
2,834在庫
|
|
|
¥389.6
|
|
|
¥249.4
|
|
|
¥169.5
|
|
|
¥141.3
|
|
|
¥114.9
|
|
|
表示
|
|
|
¥134.3
|
|
|
¥114.1
|
|
|
¥111
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
PowerPAK-1212-8S
|
N-Channel
|
|
|
|
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Vishay Semiconductors SISD4402DN-T1-UE3
- SISD4402DN-T1-UE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
¥332.5
-
2,375予想2026/04/13
-
新製品
|
Mouser 部品番号
78-SISD4402DN-T1-UE3
新製品
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
|
|
2,375予想2026/04/13
|
|
|
¥332.5
|
|
|
¥226.6
|
|
|
¥159.9
|
|
|
¥133
|
|
|
表示
|
|
|
¥124
|
|
|
¥105
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
MOSFETs
|
|
|
|
|
|
|
|
GaN FET 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R2
- GTRB204402FC/1-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥20,169.6
-
在庫なし
|
Mouser 部品番号
941-GTRB20402FC1V1R2
|
MACOM
|
GaN FET 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT
|
|
在庫なし
|
|
|
¥20,169.6
|
|
|
表示
|
|
|
見積り
|
|
最低: 250
複数: 250
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-SiC
|
|
|
|
|
|
|
RFバイポーラトランジスタ RF BIP TRANSISTOR
- BFR 93AW H6327
- Infineon Technologies
-
1:
¥50.5
-
36,717在庫
-
72,000予想2026/04/13
|
Mouser 部品番号
726-BFR93AWH6327
|
Infineon Technologies
|
RFバイポーラトランジスタ RF BIP TRANSISTOR
|
|
36,717在庫
72,000予想2026/04/13
|
|
|
¥50.5
|
|
|
¥30.6
|
|
|
¥24.3
|
|
|
¥23
|
|
|
¥20.7
|
|
|
表示
|
|
|
¥22
|
|
|
¥20.2
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
RF Bipolar Transistors
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-323
|
NPN
|
|
|
|
GaN FET 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT
MACOM GTRB184402FC-V1-R0
- GTRB184402FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥22,272.3
-
在庫なし
|
Mouser 部品番号
941-GTRB184402FCV1R0
|
MACOM
|
GaN FET 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT
|
|
在庫なし
|
|
|
¥22,272.3
|
|
|
表示
|
|
|
見積り
|
|
最低: 50
複数: 50
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-SiC
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- PJQ4402P_R2_00001
- Panjit
-
5,000:
¥38.1
-
非在庫リードタイム 36 週間
-
NRND
|
Mouser 部品番号
241-PJQ4402PR200001
NRND
|
Panjit
|
MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
|
|
非在庫リードタイム 36 週間
|
|
最低: 5,000
複数: 5,000
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
- PJQ4402P-AU_R2_000A1
- Panjit
-
1:
¥172.8
-
非在庫リードタイム 52 週間
-
NRND
|
Mouser 部品番号
241-PJQ4402PAUR2000A
NRND
|
Panjit
|
MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
|
|
非在庫リードタイム 52 週間
|
|
|
¥172.8
|
|
|
¥108.1
|
|
|
¥70.7
|
|
|
¥54.8
|
|
|
¥45.2
|
|
|
¥40.6
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
|
|
|
|
|
|
GaN FET 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R0
- GTRB204402FC/1-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥22,272.3
-
在庫なし
|
Mouser 部品番号
941-GTRB20402FC1V1R0
|
MACOM
|
GaN FET 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT
|
|
在庫なし
|
|
|
¥22,272.3
|
|
|
表示
|
|
|
見積り
|
|
最低: 50
複数: 50
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-SiC
|
|
|
|
|
|
|
GaN FET 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT
MACOM GTRB184402FC-V1-R2
- GTRB184402FC-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥20,169.6
-
在庫なし
|
Mouser 部品番号
941-GTRB184402FCV1R2
|
MACOM
|
GaN FET 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT
|
|
在庫なし
|
|
|
¥20,169.6
|
|
|
表示
|
|
|
見積り
|
|
最低: 250
複数: 250
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-SiC
|
|
|
|
|
|
|
GaN FET 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT
MACOM GTRB224402FC-V1-R2
- GTRB224402FC-V1-R2
- MACOM
-
250:
¥20,169.6
-
在庫なし
|
Mouser 部品番号
941-GTRB224402FCV1R2
|
MACOM
|
GaN FET 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT
|
|
在庫なし
|
|
|
¥20,169.6
|
|
|
表示
|
|
|
見積り
|
|
最低: 250
複数: 250
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-SiC
|
|
|
|
|
|
|
MOSFET PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK
- PSMN8R5-60YS,115
- Nexperia
-
1:
¥303.2
-
2,427在庫
|
Mouser 部品番号
771-PSMN8R5-60YS-115
|
Nexperia
|
MOSFET PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK
|
|
2,427在庫
|
|
|
¥303.2
|
|
|
¥194
|
|
|
¥128.9
|
|
|
¥102
|
|
|
¥84.9
|
|
|
表示
|
|
|
¥93.2
|
|
|
¥76.9
|
|
|
¥76.4
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-669-5
|
N-Channel
|
|
|
|
GaN FET 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT
MACOM GTRB224402FC-V1-R0
- GTRB224402FC-V1-R0
- MACOM
-
50:
¥22,272.3
-
在庫なし
|
Mouser 部品番号
941-GTRB224402FCV1R0
|
MACOM
|
GaN FET 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT
|
|
在庫なし
|
|
|
¥22,272.3
|
|
|
表示
|
|
|
見積り
|
|
最低: 50
複数: 50
|
|
GaN FETs
|
GaN-on-SiC
|
|
|
|
|
|
|
バイポーラトランジスタ - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
- 2N4402 TIN/LEAD
- Central Semiconductor
-
2,500:
¥586.8
-
非在庫リードタイム 6 週間
|
Mouser 部品番号
610-2N4402-TL
|
Central Semiconductor
|
バイポーラトランジスタ - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
|
|
非在庫リードタイム 6 週間
|
|
最低: 2,500
複数: 2,500
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
Si
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
PNP
|
|
|
|
バイポーラトランジスタ - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Central Semiconductor 2N4402 TRE TIN/LEAD
- 2N4402 TRE TIN/LEAD
- Central Semiconductor
-
2,000:
¥637.3
-
非在庫リードタイム 6 週間
|
Mouser 部品番号
610-2N4402TRETIN
|
Central Semiconductor
|
バイポーラトランジスタ - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
|
|
非在庫リードタイム 6 週間
|
|
最低: 2,000
複数: 2,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
|
|
PNP
|
|
|
|
バイポーラトランジスタ - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Central Semiconductor 2N4402 APM PBFREE
- 2N4402 APM PBFREE
- Central Semiconductor
-
2,000:
¥536.3
-
非在庫リードタイム 2 週間
|
Mouser 部品番号
610-2N4402APM
|
Central Semiconductor
|
バイポーラトランジスタ - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
|
|
非在庫リードタイム 2 週間
|
|
|
¥536.3
|
|
|
表示
|
|
|
見積り
|
|
最低: 2,000
複数: 2,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
|
|
PNP
|
|
|
|
バイポーラトランジスタ - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
- 2N4402 PBFREE
- Central Semiconductor
-
2,500:
¥508.6
-
非在庫リードタイム 2 週間
|
Mouser 部品番号
610-2N4402
|
Central Semiconductor
|
バイポーラトランジスタ - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW
|
|
非在庫リードタイム 2 週間
|
|
|
¥508.6
|
|
|
表示
|
|
|
見積り
|
|
最低: 2,500
複数: 2,500
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
Through Hole
|
TO-92-3
|
PNP
|
|
|
|
バイポーラトランジスタ - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Central Semiconductor 2N4402 APM TIN/LEAD
- 2N4402 APM TIN/LEAD
- Central Semiconductor
-
2,000:
¥637.3
-
非在庫リードタイム 6 週間
|
Mouser 部品番号
610-2N4402APMTIN
|
Central Semiconductor
|
バイポーラトランジスタ - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
|
|
非在庫リードタイム 6 週間
|
|
最低: 2,000
複数: 2,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
|
|
PNP
|
|
|
|
バイポーラトランジスタ - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
Central Semiconductor 2N4402 TRE PBFREE
- 2N4402 TRE PBFREE
- Central Semiconductor
-
2,000:
¥529.8
-
非在庫リードタイム 2 週間
|
Mouser 部品番号
610-2N4402TRE
|
Central Semiconductor
|
バイポーラトランジスタ - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch
|
|
非在庫リードタイム 2 週間
|
|
最低: 2,000
複数: 2,000
|
|
BJTs - Bipolar Transistors
|
|
|
|
PNP
|
|
|
|
MOSFET MOSFET_)40V 60V)
- IAUZ30N06S5L140ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
¥197.2
-
34,995予想2026/04/30
|
Mouser 部品番号
726-IAUZ30N06S5L140A
|
Infineon Technologies
|
MOSFET MOSFET_)40V 60V)
|
|
34,995予想2026/04/30
|
|
|
¥197.2
|
|
|
¥122.9
|
|
|
¥80.8
|
|
|
¥62.8
|
|
|
¥52
|
|
|
¥45.6
|
|
最低: 1
複数: 1
|
|
MOSFETs
|
Si
|
SMD/SMT
|
TSDSON-8-32
|
N-Channel
|
|