4402 トランジスタ

トランジスタのタイプ

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品タイプ 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性
Vishay / Siliconix MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET SO-8, 9.3 mohm a. 10V, 10.3 mohm a. 4.5V 12,383在庫
最低: 1
複数: 1

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK 1212-8S N-Channel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET 2,834在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerPAK-1212-8S N-Channel
Vishay Semiconductors SISD4402DN-T1-UE3
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
2,375予想2026/04/13
最低: 1
複数: 1
MOSFETs
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R2
MACOM GaN FET 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT 在庫なし
最低: 250
複数: 250
リール: 250

GaN FETs GaN-on-SiC
Infineon Technologies RFバイポーラトランジスタ RF BIP TRANSISTOR 36,717在庫
72,000予想2026/04/13
最低: 1
複数: 1
リール: 3,000

RF Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-323 NPN
MACOM GTRB184402FC-V1-R0
MACOM GaN FET 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT 在庫なし
最低: 50
複数: 50
リール: 50
GaN FETs GaN-on-SiC
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 非在庫リードタイム 36 週間
最低: 5,000
複数: 5,000
リール: 5,000

MOSFETs Si
Panjit MOSFET 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 非在庫リードタイム 52 週間
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

MOSFETs Si
MACOM GTRB204402FC/1-V1-R0
MACOM GaN FET 400W, 48V, 1930-2020 MHz GaN-SiC HEMT 在庫なし
最低: 50
複数: 50
リール: 50

GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB184402FC-V1-R2
MACOM GaN FET 480W, 48V, 1805-1880 MHz GaN-SiC HEMT 在庫なし
最低: 250
複数: 250
リール: 250
GaN FETs GaN-on-SiC
MACOM GTRB224402FC-V1-R2
MACOM GaN FET 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT 在庫なし
最低: 250
複数: 250
リール: 250

GaN FETs GaN-on-SiC
Nexperia MOSFET PSMN8R5-60YS/SOT669/LFPAK 2,427在庫
最低: 1
複数: 1
リール: 1,500

MOSFETs Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel
MACOM GTRB224402FC-V1-R0
MACOM GaN FET 400W, 48V, 2110-2200 MHz GaN-SiC HEMT 在庫なし
最低: 50
複数: 50
リール: 50

GaN FETs GaN-on-SiC
Central Semiconductor バイポーラトランジスタ - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 2,500
複数: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-92-3 PNP
Central Semiconductor 2N4402 TRE TIN/LEAD
Central Semiconductor バイポーラトランジスタ - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 2N4402 APM PBFREE
Central Semiconductor バイポーラトランジスタ - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch 非在庫リードタイム 2 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor バイポーラトランジスタ - BJT PNP 40Vcbo 40Vceo 5.0Vebo 600mA 625mW 非在庫リードタイム 2 週間
最低: 2,500
複数: 2,500

BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-92-3 PNP
Central Semiconductor 2N4402 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor バイポーラトランジスタ - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch 非在庫リードタイム 6 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Central Semiconductor 2N4402 TRE PBFREE
Central Semiconductor バイポーラトランジスタ - BJT 40V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier/Switch 非在庫リードタイム 2 週間
最低: 2,000
複数: 2,000
リール: 2,000

BJTs - Bipolar Transistors PNP
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V)
34,995予想2026/04/30
最低: 1
複数: 1
リール: 5,000

MOSFETs Si SMD/SMT TSDSON-8-32 N-Channel