IXYS X-Class シリーズ MOSFET

結果: 36
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
トレードネーム
パッケージ化
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-247 Power MOSFET
データシート
504在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
データシート
297在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
データシート
278在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 650V/64A Power MOSFET
データシート
3在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 64 A 51 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
データシート
238在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 52A PLUS247 Power MOSFET
データシート
195在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 52 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET
データシート
257在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 130 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 26A TO-268HV Power MOSFET
データシート
140在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT TO-268-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 650V/9A Power MOSFET
データシート
267在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
データシート
371在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 50 A 105 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 152 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
データシート
32在庫
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 20 A 330 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V/14A UlJun XCl
データシート
19在庫
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 14 A 550 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 460 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
データシート
600工場在庫あり
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 850 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO268 850V 30A N-CH XCLASS
データシート
1,320工場在庫あり
納期・詳細を要確認
最低： 300
複数： 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 850V 4A N-CH XCLASS
データシート
1,610工場在庫あり
納期・詳細を要確認
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO263 850V 3.5A N-CH XCLASS
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V/8A U-Junc X-Cla ss Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 50

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 850 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 70A PLUS264 Power MOSFET
データシート
リードタイム 26 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 70 A 89 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 1.785 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class
データシート
非在庫リードタイム 41 週間
最低： 300
複数： 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 90 A 41 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 340 nC - 55 C + 150 C 1.785 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO247 850V 14A N-CH X3CLASS
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
データシート
リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO247 850V 30A N-CH XCLASS
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO247 850V 9.5A N-CH XCLASS
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 9.5 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 52A 1000V POWER MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 36 週間
最低： 300
複数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 52 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 245 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 66 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube